[发明专利]凸点的形成方法有效
| 申请号： | 200910056726.6 | 申请日： | 2009-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101996887A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王津洲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
1.一种凸点的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属垫层和钝化层，所述金属垫层镶嵌于钝化层中，且通过钝化层上的开口暴露出金属垫层；
在钝化层开口内的金属垫层上依次形成金属屏蔽层和凸点下金属层，所述凸点下金属层包含金属镍层；
将半导体衬底放入含氢离子或氢氧根离子的电解池溶液内；
利用外加电场进行反应以处理凸点下金属层中的金属镍层；
在凸点下金属层上形成凸点。
2.根据权利要求1所述的凸点的形成方法，其特征在于：所述金属屏蔽层为钛、钛化钨或铬中的一种与铜组合。
3.根据权利要求1所述的凸点的形成方法，其特征在于：所述凸点下金属层包括金属铜层和位于金属铜层上的金属镍层。
4.根据权利要求1所述的凸点的形成方法，其特征在于：所述电解池内的溶液的PH值为：5＜PH＜9。
5.根据权利要求1所述的凸点的形成方法，其特征在于：所述半导体衬底置于电解池内的方式为垂直方式或水平方式。
6.根据权利要求1至3任一项所述的凸点的形成方法，其特征在于：所述半导体衬底在电解池内作为阴极，阳极材料为铂或其它耐热金属。
7.根据权利要求6所述的凸点的形成方法，其特征在于：所述电解池内所加电流为直流电或交流电或脉冲电流，电压为1V～12V。
8.根据权利要求7所述的凸点的形成方法，其特征在于：所述电解池内的温度为15℃～35℃。
9.根据权利要求1所述的凸点的形成方法，其特征在于：所述半导体衬底放入电解池内加电流进行反应的时间为30秒～5分。
10.根据权利要求1所述的凸点的形成方法，其特征在于：在凸点下金属层上形成凸点还包括：
在凸点下金属层上电镀焊料层；
回流焊料层。
11.根据权利要求10所述的凸点的形成方法，其特征在于：回流焊料层的温度为220℃～350℃。
12.根据权利要求10所述的凸点的形成方法，其特征在于：所述焊料层的材料为共溶锡铅合金、高铅锡铅合金，锡银合金或锡银铜合金。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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