[发明专利]发光半导体连接结构及其方法

权利要求书

1.一种发光半导体连接结构，其特征是：该连接结构通过一基板连接一发光半导体，且该基板是一具有电气线路的结构，该发光半导体中的N型接触层与P型接触层分别形成一欧姆接触的N电极层与P电极层；以及

该基板表面具有第一金属层以及第二金属层，分别电气连接至该基板电气线路的对应电气信号输出输入节点，且第一金属层以及第二金属层分别与发光半导体的N电极层以及P电极层相互配合，使得该第一金属层以及第二金属层分别对应N电极层以及P电极层而形成相近面积大小的整面接合，用以将该发光半导体连接于该基板上，并形成电气连接。

2.如权利要求1所述的发光半导体连接结构，其特征是：其中，该基板形成为一导线架，用以电气连接至发光半导体，而提供该发光半导体的电气信号输出输入。

3.一种发光半导体连接方法，其特征是：该连接方法是一基板连接一发光半导体，且该基板是一具有电气线路的结构，该发光半导体中的N型接触层与P型接触层分别形成一欧姆接触的N电极层与P电极层，该连接方法的步骤包括：

在该基板上的对应位置，沉积形成该第一金属层以及第二金属层，且第一金属层以及第二金属层位置对应N电极层以及P电极层；以及

将该发光半导体覆置于该基板上，并使得N电极层以及P电极层分别对应放置于第一金属层以及第二金属层上，再通过连接技术，将N电极层与第一金属层接合，以及将P电极层与第二金属层接合；

其中，第一金属层以及第二金属层的面积，分别对应N电极层以及P电极层，而形成相近大小的接触面积。

4.如权利要求3所述的发光半导体接着方法，其特征是：其中，第一金属层以及第二金属层对应基板的电气线路与发光半导体的N电极层以及P电极层，且用以形成该基板电气线路中的电气信号输出输入节点与发光半导体N电极层以及P电极层之间的接合接口。

5.如权利要求3所述的发光半导体连接方法，其特征是：其中，在该基板通过浸镀法形成第一金属层以及第二金属层。

6.如权利要求3所述的发光半导体连接方法，其特征是：其中，该基板形成第一金属层以及第二金属层的方法，是使用物理气相沉积、化学气相沉积、电镀法而形成。

7.如权利要求3所述的发光半导体连接方法，其特征是：其中，将该发光半导体覆置于该基板上，使得该N电极层以及P电极层分别对应放置于该第一金属层以及第二金属层上，再通过超音波熔接技术，将N电极层与第一金属层接合，以及将P电极层与第二金属层接合。