[发明专利]超级结MOSFET的制作方法无效
| 申请号： | 200910057132.7 | 申请日： | 2009-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101872724A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 缪燕;谢烜;肖胜安 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/306;H01L21/31;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超级 mosfet 制作方法 | ||
1.一种超级结MOSFET的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在N-型外延硅片上生长氧化膜作为下面要成长的介质膜的缓冲层，然后再在硅片上成长作为介质膜的氮化硅；
(2)利用光刻形成沟槽的图形；
(3)利用氮化硅作掩膜或利用光刻胶作掩膜完成沟槽的刻蚀；
(4)利用外延工艺将P-型外延填入沟槽；
(5)利用多晶硅将沟槽填满；
(6)利用氮化硅作为阻挡层，进行多晶硅和P-型外延的回刻蚀或化学机械研磨；
(7)将氮化硅膜和氧化硅膜去除得到交替的P-型和N-型结构；
(8)利用现有成熟工艺形成栅氧化，多晶硅栅极，P型阱，源极，P+接触区，接触孔，表面金属，背面金属，得到MOSFET器件。
2.根据权利要求1所述的超级结MOSFET的制作方法，其特征在于，所述步骤(5)中利用多晶硅将沟槽填满之前先成长一层介质膜。
3.一种超级结MOSFET的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在N-型外延硅片上生长氧化膜作为下面要成长的介质膜的缓冲层，然后再在硅片上成长作为介质膜的氮化硅；
(2)利用光刻形成沟槽的图形；
(3)利用氮化硅作掩膜或利用光刻胶作掩膜完成沟槽的刻蚀；
(4)利用外延工艺将P-型外延填入沟槽；
(5)利用多晶硅将沟槽填满；
(6)通过回刻或者研磨去除氮化硅和氧化硅层上面的多晶硅和P-型外延；
(7)将氮化硅膜和氧化硅膜去除，通过化学机械研磨得到平坦且交替的P-型和N-型结构；
(8)利用现有成熟工艺形成栅氧化，多晶硅栅极，P型阱，源极，P+接触区，接触孔，表面金属，背面金属，得到MOSFET器件。
4.根据权利要求3所述的超级结MOSFET的制作方法，其特征在于，所述步骤(5)中利用多晶硅将沟槽填满之前先成长一层介质膜。
5.一种超级结MOSFET的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在P-型外延硅片上生长氧化膜作为下面要成长的介质膜的缓冲层，然后再在硅片上成长作为介质膜的氮化硅；
(2)利用光刻形成沟槽的图形；
(3)利用氮化硅作掩膜或利用光刻胶作掩膜完成沟槽的刻蚀；
(4)利用外延工艺将N-型外延填入沟槽；
(5)利用多晶硅将沟槽填满；
(6)利用氮化硅作为阻挡层，进行多晶硅和N-型外延的回刻蚀或化学机械研磨；
(7)将氮化硅膜和氧化硅膜去除得到交替的N-型和P-型结构；
(8)利用现有成熟工艺形成栅氧化，多晶硅栅极，N型阱，源极，N+接触区，接触孔，表面金属，背面金属，得到MOSFET器件。
6.根据权利要求5所述的超级结MOSFET的制作方法，其特征在于，所述步骤(5)中利用多晶硅将沟槽填满之前先成长一层介质膜。
7.一种超级结MOSFET的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在P-型外延硅片上生长氧化膜作为下面要成长的介质膜的缓冲层，然后再在硅片上成长作为介质膜的氮化硅；
(2)利用光刻形成沟槽的图形；
(3)利用氮化硅作掩膜或利用光刻胶作掩膜完成沟槽的刻蚀；
(4)利用外延工艺将N-型外延填入沟槽；
(5)利用多晶硅将沟槽填满；
(6)通过回刻或者研磨去除氮化硅和氧化硅层上面的多晶硅和N-型外延；
(7)将氮化硅膜和氧化硅膜去除，通过化学机械研磨得到平坦且交替的N-型和P-型结构；
(8)利用现有成熟工艺形成栅氧化，多晶硅栅极，N型阱，源极，N+接触区，接触孔，表面金属，背面金属，得到MOSFET器件。
8.根据权利要求7所述的超级结MOSFET的制作方法，其特征在于，所述步骤(5)中利用多晶硅将沟槽填满之前先成长一层介质膜。
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