[发明专利]一种增强外延后光刻套准精度的方法有效
| 申请号： | 200910057423.6 | 申请日： | 2009-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN101924013A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 王雷;吴鹏;阚欢 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增强 外延 光刻 精度 方法 | ||
1.一种增强外延后光刻套准精度的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在外延层生长前进行光刻产生特定的测试图形，该测试图形由一矩形及该矩形的外框图形组成；
(2)对外延层的衬底进行干法刻蚀；
(3)外延层生长；
(4)后续工艺，采用步骤(3)外延层生长后形成的带有光刻标记的衬底来制造各种器件。
2.根据权利要求1所述的一种增强外延后光刻套准精度的方法，其特征在于，步骤(1)中所述的外框图形由多个形状和大小相同的小图形构成。
3.根据权利要求2所述的增强外延后光刻套准精度的方法，其特征在于，所述的小图形的尺寸为0.1～10微米，该小图形的形状可以是方形，矩形或其他形状。
4.根据权利要求1或2所述的增强外延后光刻套准精度的方法，其特征在于，步骤(1)所述的外框图形是一排或复数排。
5.根据权利要求1所述的增强外延后光刻套准精度的方法，其特征在于，步骤(2)中所述干法刻蚀形成的图形表面晶向与原有衬底单晶晶向均不同。
6.根据权利要求1所述的增强外延后光刻套准精度的方法，其特征在于，在步骤(1)之前增加如下步骤：在衬底上沉积一层氧化物作为步骤(2)中的刻蚀阻挡层；并在步骤(2)与步骤(3)之间增加如下步骤：采用含HF的药液进行湿法去除所述的刻蚀阻挡层。
7.根据权利要求1所述的增强外延后光刻套准精度的方法，其特征在于，步骤(3)所述的外延层与衬底晶向完全相同。
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