[发明专利]监测膜厚均匀性的方法

权利要求书

1.一种监测膜厚均匀性的方法，其特征是，包括如下步骤：

第1步，在一个硅片的薄膜上，取硅片中心位置的一个或多个测量点测量膜厚，取硅片边缘位置的一个或多个测量点测量膜厚；

第2步，将硅片中心位置一个或多个测量点的膜厚平均值减去硅片边缘位置一个或多个测量点的膜厚平均值，得到一个具有正负的差值；

第3步，当所述差值在预设的正常范围内，则判定所述薄膜膜厚的中心边缘差合格；否则即判定所述薄膜膜厚的中心边缘差不合格。

2.根据权利要求1所述的监测膜厚均匀性的方法，其特征是，所述硅片中心位置的测量点在以硅片中心为圆心，硅片半径的10％为半径的圆形内；所述硅片边缘位置的测量点在以硅片中心为圆心，硅片半径的70％为内半径，硅片半径的90％为外半径的环形内。

3.根据权利要求2所述的监测膜厚均匀性的方法，其特征是，所述硅片中心位置的测量点在以硅片中心为圆心，硅片半径的5％为半径的圆形内；所述硅片边缘位置的测量点在以硅片中心为圆心，硅片半径的75％为内半径，硅片半径的85％为外半径的环形内。

4.根据权利要求1所述的监测膜厚均匀性的方法，其特征是，所述薄膜为采取高密度等离子体化学气相淀积工艺形成的薄膜。

5.根据权利要求3或4所述的监测膜厚均匀性的方法，其特征是，所述硅片为8英寸硅片。