[发明专利]用于低压低功耗EEPROM行解码的电压自举电路及方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于存储器的解码电路及方法，具体涉及一种用于存储器的行解码电路及方法。

背景技术

目前，在低压EEPROM设计中，为了提高读取速度，在读取数据时需要抬高字线上的电压，该电压常通过电荷泵实现，这就增加了读取时的功耗；另外，在进行擦除或写入数据时则需要字线上的电压抬升至十几伏，称之为高压。为了实现在不同操作下字线上的中压和高压的切换，就需要通过复杂的切换电路，这就增加了版图面积，影响生产成本。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种用于低压低功耗EEPROM行解码的电压自举(boost)电路，可以不需要中压和高压的切换，电路实现简单，功耗低。

为解决以上技术问题，本发明提供了一种用于低压低功耗EEPROM行解码的电压自举电路，包括：中压本征N管M0，其源极与低压电源相连接，栅极与高压本征N管M1的栅压VG的控制信号CVG相连接，漏极与高压本征N管M1的栅极相连接，用于隔离或传输低压电源电压VDD；高压本征N管M1，其漏极与内部行解码信号相连接，栅极与中压本征N管M0的漏极相连接，源极与EEPROM字线信号WL相连接，用于传输及隔离高压；中压N管M2，与高压本征N管M1的栅压VG的控制信号相连接，用于控制高压本征N管M1的栅压VG。

本发明的有益效果在于：采用晶体管栅漏电容作为电压自举电容，并通过简单的逻辑对电压自举电路进行控制。利用电压自举电路解决低压低功耗EEPROM设计中对读取速度的要求，且不需要中压和高压的切换，电路简单，功耗低。

本发明还提供了前述的用于低压低功耗EEPROM行解码的电压自举电路的使用方法：

在EEPROM进行读取时，要求选中的字线为低压电源电压VDD，不选中的字线为零电平。此时，高压本征N管M1的栅压VG的控制信号CVG为高电平，则高压本征N管M1的栅压VG的控制信号XG为零电压；如果行解码信号XIN为高电平，则行解码信号的反RWINB为零电压，内部行解码信号RWIN为高电平，此时电压自举效应起作用，高压本征N管M1管的栅压VG被升到一个高于低压电源电压VDD的电位，内部行解码信号RWIN电平无损失地经过高压本征N管M1传输到字线信号WL；如果行解码信号XIN为零电平，则行解码信号的反RWINB为高电平，内部行解码信号RWIN为零电平，此时电压自举效应不起作用，高压本征N管M1管的栅压VG为低于低压电源电压VDD的电位，但内部行解码信号RWIN的零电平还是可以传到字线信号WL上。

在EEPROM进行编程时，选中的字线为高压电源电压VPP电平，不选中的字线为零电平，此时，VG的控制信号CVG在高压电源电压VPP开始产生前为高电平，在高压电源电压VPP开始产生后为零电平；如果行解码信号XIN为高电平，则行解码信号的反RWINB为零电平，内部行解码信号RWIN为高电平；此时在高压电源电压VPP开始产生前，VG的控制信号CVG为高电平，中压本征N管M0导通，且VG的控制信号XG为零电平，VG被升压，内部行解码信号RWIN的电平经过高压本征N管M1传输到字线信号WL，其为高电平，字线信号WL被逐渐上拉至高压电源电压VPP。如果行解码信号XIN为零电平，则行解码信号的反RWINB为高电平，内部行解码信号RWIN为零电平，VG的控制信号XG为零电平，此时在高压电源电压VPP开始产生前，VG的控制信号CVG为高电平，中压本征N管M0导通，高压本征N管M1管的栅压VG被升压，内部行解码信号RWIN的电平经过高压本征N管M1传输到字线信号WL，其为零电平，中压本征N管M0关断，高压本征N管M1管的栅压VG浮置，字线信号WL仍然为零电平。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。

图1是本发明实施例电路示意图。

图中附图标记说明：

I1和I2：低压反相器；

I3：二输入低压或非门；

M0：中压本征N管；

M1：高压本征N管；

M2：中压N管；

M3和M5：高压P管；

M4：高压N管；

XIN：行解码信号；

RWINB：行解码信号的反；

RWIN：内部行解码信号；

WL：字线信号；

VG：高压本征N管M1管的栅压；

CVG和XG：VG的控制信号；

LV：Low Voltage低压；

MV：Middle Voltage中压；

HV：High Voltage高压；