[发明专利]一种利用双重曝光方法来检测掩模板图形形貌的方法

权利要求书

1.一种利用双重曝光方法来检测掩模板图形形貌的方法，步骤包括：

1)掩模板上的待测量图形以掩模板中心对称放置；

2)硅片先完成第一次曝光后停止在光刻机曝光平台上，不做显影；

3)将掩模板从光刻机取出作180度旋转后放回光刻机；

4)掩模板完成对准后，硅片进行第二次曝光；

5)进行随后的正常光刻流程；

6)硅片上形成完整的待测量图形，进行量测。

2.如权利要求1所述的利用双重曝光方法来检测掩模板图形形貌的方法，其特征在于：所述步骤1)中的待测量图形是符合双重曝光需要的任意形式图形，是以组的形式一一对应放置于划片槽内，其中，组的形式是一组或多组。

3.如权利要求1所述的利用双重曝光方法来检测掩模板图形形貌的方法，其特征在于：所述步骤1)中的中心对称是以掩模板自身对准标记为中心对称。

4.如权利要求1所述的利用双重曝光方法来检测掩模板图形形貌的方法，其特征在于：所述步骤4)中掩模板是自动完成对准；第二次曝光中，硅片始终停留在曝光平台上。

5.如权利要求1所述的利用双重曝光方法来检测掩模板图形形貌的方法，其特征在于：所述步骤5)中的随后的正常光刻流程包括显影、烘烤。

6.如权利要求1所述的利用双重曝光方法来检测掩模板图形形貌的方法，其特征在于：所述步骤6)中的量测是利用掩模板上预先设计好的待测量图形以套刻的方式进行量测，通过计算硅片上形成的待测量图形X、Y方向的3sigma值的大小来界定。