[发明专利]CoolMOS的纵向区的制造方法

权利要求书

1.一种CoolMOS的纵向区的制造方法，其特征是，包括如下步骤：

第1步，在硅衬底上生长一层外延层，该外延层的厚度为CoolMOS的外延层要求的厚度；

第2步，采用光刻和刻蚀工艺，在外延层中刻蚀出沟槽，该沟槽的位置、深度分别为CoolMOS的纵向区的位置、要求的高度；该沟槽的底部在硅衬底的上表面或更上方；

第3步，在硅片表面采用外延工艺淀积一层单晶硅，该层单晶硅将沟槽部分填充，沟槽中的单晶硅无空洞或仅有开口空洞；

第4步，在硅片表面再淀积一层多晶硅，该层多经过将沟槽完全填充；

当第3步中淀积的沟槽中的单晶硅具有开口空洞时，该层多晶硅也将单晶硅中的开口空洞完全填充；

第5步，采用干法刻蚀工艺反刻硅片表面的多晶硅和单晶硅，直至露出外延层上表面。

2.根据权利要求1所述的CoolMOS的纵向区的制造方法，其特征是，所述硅衬底为重掺杂N型，所述外延层为轻掺杂N型，所述单晶硅为P型；所述多晶硅为P型。

3.根据权利要求1所述的CoolMOS的纵向区的制造方法，其特征是，所述硅衬底为重掺杂P型，所述外延层为轻掺杂P型，所述单晶硅为N型；所述多晶硅为N型。

4.根据权利要求2或3所述的CoolMOS的纵向区的制造方法，其特征是，所述单晶硅和多晶硅具有相同的杂质类型和杂质浓度。