[发明专利]保护套刻标记图形的方法

权利要求书

1.一种保护套刻标记图形的方法，其特征是，所述套刻标记图形已形成于硅片上，所述方法应用于对硅片进行多次光刻，每次光刻后紧跟着进行离子注入的情况，所述多次光刻共用所述套刻标记图形；

所述方法为：每次光刻时，形成一部分光刻图形覆盖在套刻标记图形的至少是内边界的上方；每次离子注入后，去除光刻胶。

2.根据权利要求1所述的保护套刻标记图形的方法，其特征是，每次光刻形成的光刻图形至少包括三部分，第一部分形成刻蚀或离子注入窗口，第二部分用于与套刻标记图形之间测量套刻精度，第三部分覆盖在套刻标记图形的至少是内边界的上方。

3.根据权利要求2所述的保护套刻标记图形的方法，其特征是，包括如下步骤：

第1步，采用光刻工艺，在硅片表面形成光刻图形，所述光刻图形的一部分形成离子注入窗口，另一部分覆盖在套刻标记图形的至少是内边界的上方；

第2步，采用离子注入工艺，在所述光刻图形形成的离子注入窗口进行离子注入；

第3步，去除硅片表面的光刻胶；

重复上述第1-3步，直至完成对硅片进行多次光刻，所述多次光刻共用所述套刻标记图形。

4.根据权利要求1所述的保护套刻标记图形的方法，其特征是，所述覆盖在套刻标记图形的至少是内边界的上方的光刻图形与套刻标记图形相重合的宽度为1μm，所述覆盖在套刻标记图形的至少是内边界的上方的光刻图形与套刻标记图形不重合的宽度为1μm，所述覆盖在套刻标记图形的至少是内边界的上方的光刻图形的总宽度为2μm。

5.根据权利要求1所述的保护套刻标记图形的方法，其特征是，所述套刻标记图形为方环形，所述套刻标记图形的内边界为正方形，所述覆盖在套刻标记图形的至少是内边界的上方的光刻图形也是方环形。