[发明专利]将较大尺寸沟槽顶部直角改变成明显圆角的方法

权利要求书

1.一种将较大尺寸沟槽顶部直角改变成明显圆角的方法，其特征在于，包含以下步骤：

1)在硅基片或硅外延层上刻蚀形成一系列沟槽；

2)用卤化氢气体对沟槽顶部直角进行再刻蚀，使其形成钝角；

3)在高温炉管内于沟槽内部及表面生长一层热氧化硅；

4)用湿法刻蚀去除热氧化硅，形成沟槽顶部圆角。

2.如权利要求1所述的一种将较大尺寸沟槽顶部直角改变成明显圆角的方法，其特征在于：所述步骤1)中沟槽宽度为1.0-10.0微米，沟槽深度为5.0-80.0微米，两个沟槽间的顶部间距大于0.5微米。

3.如权利要求1所述的将较大尺寸沟槽顶部直角改变成明显圆角的方法，其特征在于：所述步骤2)的卤化氢是氟化氢、氯化氢和溴化氢中的一种或几种。

4.如权利要求1所述的将较大尺寸沟槽顶部直角改变成明显圆角的方法，其特征在于：所述步骤2)在化学气相沉积的薄膜生长机台中实现，该化学气相沉积的薄膜生长机台为气相外延生长机台、常压CVD机台、亚常压CVD机台、等离子增强CVD或高密度等离子增强CVD生长机台，所述化学气相沉积的薄膜生长机台的反应腔内除卤化氢气体和载气外，无其它反应气体。

5.如权利要求4所述的将较大尺寸沟槽顶部直角改变成明显圆角的方法，其特征在于：所述载气为氢气、氮气、氦气、氩气、氖气、氪气和氙气中的一种或几种。

6.如权利要求1所述的将较大尺寸沟槽顶部直角改变成明显圆角的方法，其特征在于：所述步骤3)中热氧化硅的生长温度为500-1200摄氏度，厚度为500-10000埃。

7.如权利要求1所述的将较大尺寸沟槽顶部直角改变成明显圆角的方法，其特征在于：在步骤2)和步骤3)之间还包括步骤A：用惰性气体的等离子体对沟槽顶部进行轰击，使沟槽顶部接近圆形。

8.如权利要求7所述的将较大尺寸沟槽顶部直角改变成明显圆角的方法，其特征在于：所述惰性气体是氩气、氦气、氖气、氪气和氙气中的一种或几种。

9.如权利要求7所述的将较大尺寸沟槽顶部直角改变成明显圆角的方法，其特征在于：所述步骤A在气相物理溅射、等离子增强CVD、高密度等离子增强CVD或干法化学刻蚀工艺机台中完成，所述机台的反应腔中除惰性气体的等离子体外，无其它反应气体。

10.如权利要求1所述的将较大尺寸沟槽顶部直角改变成明显圆角的方法，其特征在于：所述步骤4)中采用氢氟酸溶液刻蚀去除热氧化硅。