[发明专利]催化剂还原的方法有效
申请号: | 200910057852.3 | 申请日: | 2009-08-31 |
公开(公告)号: | CN101992127A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 刘俊涛;李斯琴;张惠明;蒯骏 | 申请(专利权)人: | 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院 |
主分类号: | B01J37/18 | 分类号: | B01J37/18;B01J37/16;B01J23/80;B01J23/83;B01J23/889;B01J29/48;B01J29/68;B01J23/835;C07C31/20;C07C29/149 |
代理公司: | 上海东方易知识产权事务所 31121 | 代理人: | 沈原 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 催化剂 还原 方法 | ||
1.一种催化剂还原的方法,以含氢气或CO气体为原料,在体积空速为1000~10000小时-1,还原反应压力为0~6.0MPa,还原温度为20~450℃,还原升温采用分阶段升温且控制升温速率小于50℃/小时及床层温差小于40℃的条件下,原料与催化剂接触,催化剂中高价态的金属元素被还原为低价态的活性金属元素或金属单质;其中,所述催化剂包括活性组分、助剂和载体,以重量份数计,催化剂包括如下组份:
a)选自铜、铜的氧化物或其混合物为活性组分,活性组分元素的含量8~60份;
b)选自主族金属元素、过渡金属元素或镧系元素化合物中的至少一种为助剂,助剂元素的含量为大于0~20份;
c)20~60份的由选自氧化硅、氧化铝、碳化硅、氧化锆、氧化镁或分子筛中至少一种为载体。
2.根据权利要求1所述催化剂还原的方法,其特征在于还原体积空速为1000~8000小时-1,还原反应压力为0~5.0MPa,还原温度为20~400℃;其中,温度范围为20~70℃时,升温速率控制在小于40℃/小时及控制床层温差小于30℃,温度范围为70~400℃,升温速率控制在小于15℃/小时及控制床层温差小于20℃。
3.根据权利要求2所述催化剂还原的方法,其特征在于还原体积空速为1500~8000小时-1,还原反应压力为0~3.0MPa,还原温度为20~350℃;其中,温度范围为20~70℃时,升温速率控制在小于30℃/小时及控制床层温差小于20℃,温度范围为70~350℃,升温速率控制在小于15℃/小时及控制床层温差小于15℃。
4.根据权利要求1所述催化剂还原的方法,其特征在于助剂选自K、Mg、Ba、V、Mn、Zn、Al、La或Ce化合物中的至少一种,助剂元素的含量为0.01~15份。
5.根据权利要求4所述催化剂还原的方法,其特征在于助剂选自K、Ba、Mn、Zn、La或Ce化合物中的至少一种,助剂元素的含量为0.02~12份。
6.根据权利要求1所述催化剂还原的方法,其特征在于载体选自氧化硅、氧化铝或分子筛中至少一种为载体,载体的含量为20~50份。
7.根据权利要求1所述催化剂还原的方法,其特征在于还原气体原料选自氢气。
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