[发明专利]使用X-射线特征谱对SiGe薄膜进行定量分析的方法有效
| 申请号： | 200910057929.7 | 申请日： | 2009-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN102023172A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈建钢;吴长亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/083 | 分类号： | G01N23/083;G01N23/223;G01N23/04 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 射线 特征 sige 薄膜 进行 定量分析 方法 | ||
1.一种使用X-射线特征谱对SiGe薄膜进行定量分析的方法，其特征在于，包含以下步骤：
(1)使用化学气相沉积SiGe标准多层渐变薄膜作为标准样品；
(2)使用二次离子质谱仪测定标准样品的成分，并作为SiGe的X-射线特征谱分析中的标准成分；
(3)对SiGe标准多层渐变薄膜进行多点的等厚度X-射线特征谱定量分析，参照步骤(2)中二次离子质谱仪测定的标准成分数据，获得其Si，Ge的X-射线特征谱与SiGe厚度的关系；
(4)将化学气相沉积工艺完成后的SiGe薄膜制成透射电镜样品，进行多点的等厚度X-射线特征谱定量分析，根据步骤(3)得到的SiGe标准多层渐变薄膜X-射线特征谱与SiGe厚度的关系，使用定量分析公式及系数修正，最终获得工艺SiGe薄膜的Si，Ge原子百分比与厚度的关系。
2.如权利要求1所述的使用X-射线特征谱对SiGe薄膜进行定量分析的方法，其特征在于：步骤(1)中所述SiGe标准多层渐变薄膜为八层SiGe薄膜，每层的成分比不同，Ge的原子百分比范围从0.1at％-35at％，每层厚度为400埃。
3.如权利要求1所述的使用X-射线特征谱对SiGe薄膜进行定量分析的方法，其特征在于：步骤(3)中采用斜线取点法来增加定量分析精度。
4.如权利要求1所述的使用X-射线特征谱对SiGe薄膜进行定量分析的方法，其特征在于：步骤(4)中所述定量分析公式及系数为：
工艺SiGe薄膜：CSi/CGe＝KSiGe Isi/IGe
SiGe标准多层渐变薄膜：CSi/CGe＝KSiGe Isi/IGe
其中，Csi，CGe是Si，Ge的定量成分；Isi，IGe是Si，Ge X-射线特征谱的积分强度；系数KSiGe是SiGe的Cliff-Lorimer因子，从SiGe标准多层渐变薄膜X-射线特征谱的实验数据中获得。
5.如权利要求4所述的使用X-射线特征谱对SiGe薄膜进行定量分析的方法，其特征在于：所述系数KSiGe是ZAF因子的函数，从理论计算中获得，Z：原子序数，A：X-射线吸收，F：X-射线荧光辐射。
6.如权利要求1所述的使用X-射线特征谱对SiGe薄膜进行定量分析的方法，其特征在于：步骤(3)和步骤(4)中所述进行多点的等厚度的X-射线特征谱定量分析采用20点的等厚度的X-射线特征谱定量分析。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910057929.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
