[发明专利]外延后光刻对准零层标记的方法

权利要求书

1.一种外延后光刻对准零层标记的方法，其特征是，包括如下步骤：

第1步，对硅片进行零层光刻，仅在硅片的第一组曝光单元进行曝光，然后刻蚀形成第一组零层标记；

第2步，对硅衬底进行离子注入；

第3步，再对硅片进行零层光刻，仅在硅片的第二组曝光单元进行曝光，然后刻蚀形成第二组零层标记；

所述第一组曝光单元与第二组曝光单元完全不重合；

第4步，清洗硅片，对硅片进行外延生长；

第5步，对外延层进行光刻，该步光刻对准第二组零层标记。

2.根据权利要求1所述的外延后光刻对准零层标记的方法，其特征是，所述第一组曝光单元和第二组曝光单元均至少包括5个曝光单元。

3.根据权利要求1所述的外延后光刻对准零层标记的方法，其特征是，所述第一组曝光单元和第二组曝光单元均至少包括8个曝光单元。

4.根据权利要求1所述的外延后光刻对准零层标记的方法，其特征是，所述方法第3步中的零层光刻，与所述方法第1步中的零层光刻，采用完全相同的掩膜版。

5.根据权利要求1所述的外延后光刻对准零层标记的方法，其特征是，所述方法第2步具体又包括：

第2.2步，对硅衬底进行光刻形成离子注入窗口，该步光刻对准第一组零层标记；

第2.3步，在离子注入窗口中进行离子注入；

第2.4步，对硅片进行退火；

第2.5步，重复上述第1.1步至第1.4步，直至所有离子注入工艺完成。

6.根据权利要求5所述的外延后光刻对准零层标记的方法，其特征是，所述方法第2步具体又包括：

第2.1步，在硅衬底上淀积一层薄膜；该步骤在第2.2步之前。