[发明专利]电压基准电路

权利要求书

1.一种电压基准电路，其特征在于，包括一带隙基准电压源，一两倍BJT管基极发射极PN结电压偏置电路，一过压保护电路；

所述带隙基准电压源包括MOS管偏置电流镜部分、同类型比例双极型晶体管部分、一运算放大器、匹配电阻；所述同类型比例双极型晶体管部分包括第一BJT管、第二BJT管、第一电阻，其中第一BJT管的有效发射区面积是第二BJT管的N倍，N＞1，第一BJT管、第二BJT管都连接成PN结构；所述MOS管偏置电流镜部分包括第三PMOS管，第三PMOS管的栅极接所述运算放大器的输出端，漏极接所述匹配电阻的一端并作为基准电压输出端，所述匹配电阻包括第二电阻、第三电阻，第二电阻的另一端接所述运算放大器的正输入端和第二BJT管连接成PN结构的正端，第二BJT管连接成PN结构的负端接地，第三电阻的另一端接所述运算放大器的负输入端和第一电阻的一端，第一电阻的另一端接第一BJT管连接成PN结构的正端，第一BJT管连接成PN结构的负端接地；

所述两倍BJT管基极发射极PN结电压偏置电路输出双倍基极发射极PN结电压；

所述过压保护电路包括第二比较器、第四PMOS管，所述第二比较器的正输入端接所述带隙基准电压源的基准电压输出端，负输入端接所述两倍BJT管基极发射极PN结电压偏置电路提供的双倍BJT管基极发射极PN结电压，输出端接所述第四PMOS管的栅极，第四PMOS管的源极接电源，漏极接所述带隙基准电压源中的第三PMOS管的源极。

2.根据权利要求1所述的电压基准电路，其特征在于，还包括一单倍BJT管基极发射极PN结电压偏置电路，一启动电路；

所述单倍BJT管基极发射极PN结电压偏置电路输出单个基极发射极PN结电压；

所述启动电路包括第一比较器、第五PMOS管，所述第一比较器的正输入端接所述带隙基准电压源的基准电压输出端，负输入端接所述单倍BJT管基极发射极PN结电压偏置电路提供的单个BJT管基极发射极PN结电压，输出端接所述第五PMOS管的栅极，第五PMOS管的源极接电源，漏极接所述带隙基准电压源的基准电压输出端。

3.根据权利要求1所述的电压基准电路，其特征在于，所述两倍BJT管基极发射极PN结电压偏置电路包括一第十一PMOS管，一第十二BJT管，一第十三BJT管，所述第十一PMOS管源极接电源，栅漏极接第十二BJT管的发射极并作为偏置电压输出端，第十二BJT管的基极和集电极接第十三BJT管的发射极，第十三BJT管的基极和集电极接地。

4.根据权利要求1所述的电压基准电路，其特征在于，所述单倍BJT管基极发射极PN结电压偏置电路，包括一第九PMOS管，一第十BJT管，所述第九PMOS管源极接电源，栅漏极接第十BJT管的发射极并作为偏置电压输出端，第十BJT管的基极和集电极接地。

5.根据权利要求1所述的电压基准电路，其特征在于，所述同类型比例双极型晶体管部分的第一BJT管、第二BJT管同为NPN型或同为PNP型。