[发明专利]测试结构及测试半导体衬底的方法

权利要求书

1.一种测试结构，包括：

形成于衬底上的多晶硅垫；

形成于所述多晶硅垫上的电介质层；以及

形成于所述电介质层中的凹陷中的金属化层，所述金属化层包括第一梳状部分，所述第一梳状部分与第二梳状部分互相交叉且通过所述电介质层与所述第二梳状部分隔离开。

2.根据权利要求1所述的测试结构，还包括：位于所述第一梳状部分的第一端的第一施加节点、位于所述第二梳状部分的第一端的第二施加节点以及位于所述第二梳状部分的对端的读出节点。

3.根据权利要求1所述的测试结构，其中，所述金属化层还包括位于所述第一梳状部分和所述第二梳状部分之间的蛇形部分。

4.根据权利要求3所述的测试结构，其中，所述蛇形部分包括位于第一端的第一读出节点和第一施加节点以及位于对端的第二读出节点和第二施加节点。

5.根据权利要求1所述的测试结构，其中，所述金属化层包含铜。

6.根据权利要求1所述的测试结构，其中，所述金属化层包含铝。

7.一种测试半导体衬底的方法，包括：

提供测试结构，所述测试结构包括形成于衬底上的多晶硅垫、形成于所述多晶硅垫上的电介质层以及形成于所述电介质层中的凹陷中的金属化层，所述金属化层包括第一梳状部分，所述第一梳状部分与第二梳状部分互相交叉且通过所述电介质层与所述第二梳状部分隔离开；以及

向所述第一梳状部分施加电压。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：检测所述第一梳状部分的第一端处的读出电压随时间的变化，所述第一端与所述第一梳状部分的施加了电压的第二端相对，变化的读出电压指示可归因于所述第一梳状部分中的金属的电迁移使第一梳状部分的电阻变化。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括：检测所述第二梳状部分的一端处的读出电压，该读出电压指示金属从所述第一梳状部分伸出。

10.根据权利要求7所述的方法，还包括：向所述多晶硅垫施加偏置电压，以提高所述第一梳状部分的温度，以及检测所述第一梳状部分中读出电压随时间的变化，变化的读出电压指示所述电介质层的击穿。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，强制电压随时间增加。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述偏置电压随时间增加。

13.根据权利要求7所述的方法，还包括：向所述多晶硅垫施加偏置电压，以提高所述第一梳状部分的温度，以及其中强制电压包括三角形电压扫描，以检测所述第一梳状部分中的移动离子。

14.根据权利要求7所述的方法，还包括：读出所述第二梳状部分中的电压，以指示所述电介质层的介电常数k值。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，读出电压随时间的变化指示所述电介质层的k值的漂移。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括：向所述多晶硅垫施加偏置电压，以加热所述电介质层。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一梳状部分和所述第二梳状部分的互相交叉的部分彼此平行，使得所述电介质层的绝对介电常数k值能够基于互相交叉的梳状部分之间的已知距离、互相交叉的梳状部分的已知面积以及根据所述读出电压而计算的所述第一梳状部分与所述第二梳状部分之间的电容来确定。