[发明专利]一种制备高临界电流密度钇钡铜氧超导薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备高临界电流密度钇钡铜氧超导薄膜的方法，其具体作法是：

a、前驱溶液制备：将乙酸钇、乙酸钡、乙酸铜及杂质元素的乙酸盐，按钇∶ 钡∶铜∶杂质元素的化学计量比1∶2∶3-X∶X，0.0002≤X≤0.008的比例溶解于 丙酸中，得前驱溶液，所述的杂质元素为钴(Co)、铁(Fe)、锌(Zn)、镍(Ni)、 锂(Li)中的一种；

b、涂层胶体制备：在a步的前驱溶液中，加入高分子材料聚乙烯醇缩丁醛 (PVB)，加入的高分子材料与前驱溶液的质量比为2-8∶100，充分搅拌，得到涂 层胶体；

c、涂敷及干燥：将b步制备的涂层胶体涂敷于基片上，在基片上形成薄膜， 在100-200℃温度范围内进行干燥，时间5-20分钟；

d、热分解处理与成相热处理：将c步的制得的带薄膜基片进行热分解处理 后再进行成相热处理，即得；

所述的热分解处理的具体作法为：将c步干燥后的带薄膜基片置于管式炉 中，在氩气气氛保护下，以1-5℃/min的速度从室温升至100-150℃；然后向炉 中通入露点为10-20℃的水蒸汽，同时通入氩气形成潮湿的氩气保护气氛，以 0.25-1.5℃/min的速度升温至450-500℃，保温0.5-2小时；随后再在干燥的氩 气气氛中，自然冷却至室温；

所述的成相热处理的具体作法为：将热分解处理后的基片，置于管式炉中 通入干燥的氩气，将炉温以15-40℃/min快速升温至800-900℃，保温5-15分 钟，对薄膜进行短时的高温热处理；再以1-15℃/min降温至750-780℃，保温 1-3小时；然后在干燥的氩气保护气氛中，降温至350-500℃；最后将炉中气氛 转变为干燥的氧气，保温1-5小时，进行低温渗氧退火处理，然后冷却至室温， 即在基体上制得微量杂质元素掺杂的钇钡铜氧超导薄膜。

2.如权利要求1所述的制备高临界电流密度钇钡铜氧超导薄膜的方法，其 特征在于：所述a步的化学计量比中的X的取值范围为：0.001≤X≤0.005。