[发明专利]一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜的退火炉结构无效
| 申请号： | 200910058315.0 | 申请日： | 2009-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN101806539A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 雷智;冯良桓;张静全;蔡亚平;武莉莉;李卫;黎兵;郑家贵;蔡伟 | 申请（专利权）人： | 四川尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | F27B9/06 | 分类号： | F27B9/06;F27B9/24;F27B9/36;H01L21/324;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体 薄膜 退火炉 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种II-VI族化合物半导体薄膜的退火炉结构，具有可以快速移动的加热板；在加热板上开有一定分布的通气为孔；工作气体由微孔中喷出。
2.如权利要求1所述的一种II-VI族化合物半导体薄膜的退火炉结构，其特征在于加热板垂直于样品表面快速移动，保证加热迅速和降温迅速。
3.如权利要求1所述的一种II-VI族化合物半导体薄膜的退火炉结构，其特征在于加热板与样品保持在3mm以内，进行进空间加热。
4.如权利要求1所述的一种II-VI族化合物半导体薄膜的退火炉结构，其特征在于加热板开有一定分布的微孔，加热后的工作气体由微孔喷出，对样品进行加热。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川尚德太阳能电力有限公司，未经四川尚德太阳能电力有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910058315.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
