[发明专利]多层次FPGA有效

专利信息
申请号: 200910058432.7 申请日: 2009-02-26
公开(公告)号: CN101494455A 公开(公告)日: 2009-07-29
发明(设计)人: 李平;谢小东;阮爱武;李文昌;冯新鹤;张俊 申请(专利权)人: 电子科技大学;成都华微电子系统有限公司
主分类号: H03K19/177 分类号: H03K19/177
代理公司: 成都惠迪专利事务所 代理人: 刘 勋
地址: 610000四*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 多层次 fpga
【说明书】:

技术领域

发明涉及集成电路。

背景技术

传统的island-style(隔离岛型)FPGA是由可配置逻辑块(Configurable Logic Block,CLB)、布线资源(Route Resource,RRS)和输入输出块(I/O Block,IOB)三个组成部分。布线资源包含开关块(Switch Block,SB)和连接块(Connection Block,CB)。如图1是隔离岛型FPGA的结构简图,CLB和SB按照阵列对称排列,这种高度对称结构极大的方便了软件的编写,但是在以下两方面仍存在着较大的问题:隔离岛FPGA结构上的高度对称性决定了它的芯片布线资源不能充分使用;布线延迟较大。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是,提供一种多层次FPGA,能够最大限度的充分利用布线资源,同时具有良好的延时特性。

本发明解决所述技术问题采用的技术方案是,多层次FPGA,包括可配置逻辑块CLB、布线资源、输入输出块IOB,所述布线资源包括通道、开关块SB和连接块CB,CLB通过连接块CB与通道连接;其特征在于,FPGA包括至少三个层;每一层包括多个模块,每一模块包括多个运算单元,运算单元之间、各模块之间通过布线资源连接;低层模块构成较高层模块的运算单元;低层模块之间的通道宽度大于高层模块之间的通道宽度;最低层模块为CLB。

所述FPGA分为三层,第一层的运算单元为CLB。每一层的运算单元为矩阵排列。

本发明的有益效果是,提高了布线资源的利用效率,较现有技术而言,具有更好的时延特性,并且更利于芯片的高度集成化和小型化。

以下结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的说明。

附图说明

图1a是现有技术的结构示意图,图1b是CLB、SB、CB和通道的连接关系示意图。

图2是本发明的层次结构示意图。

图3是本发明的CLB结构示意图。

图4是第一层(LEV-1)结构示意图。

图5是第二层(LEV-2)结构示意图。

图6是第三层(LEV-3)结构示意图。

具体实施方式

本发明提出一种新的FPGA结构,称之为Multi-level FPGA(多层次FPGA),该结构能够有效的解决这两方面的问题,具体结构如图2所示。从图中可以看出,不同于隔离岛FPGA,本发明的FPGA分为多个层次,各层次完成相应的功能,而且每个层次中的通道宽度W(代表通道中的线条数为W)随着层次的增高而降低,从而最大限度的充分利用布线资源,由于绝大部分逻辑块之间的布线都是通过低层次的布线资源(短线)连接而成,因此电路的延时特性也较好。

如图3所示,多层次FPGA的CLB和普通FPGA的CLB是相同的,作为一个例子,本发明的CLB包含4个基本逻辑单元(Basic LogicElement,BLE),引脚包含10个输入和4个输出,具体排布见图3。CLB作为最低层的运算单元。

图4为第一层模块的结构示意图。本实施方式中,第一层的一个模块(称为LEV-1)由4个CLB和9个SB组成,通道宽度W=20。CLB模块C0~C3和通道进行数据交换都需要经过连接块(ConnectionBlock,CB,表示为图中箭头)。连接块的面积和延迟受通道宽度和CLB引脚数的直接影响。通道宽度越大,引脚数越多,连接块的面积越大,延迟也会呈线形增长。

图5是比图4更高一层次的第二层的模块结构示意图,第二层的一个模块(称为LEV-2)由4个LEV-1和9个SB组成,通道宽度W=15,LEV-1共有8个输入和4个输出。

图6是多层次FPGA的顶层,由4个LEV-2和9个SB组成,通道宽度W=10,LEV-2共有4个输入和4个输出。

从对以上各个层次的分析可以看出,Multi-level FPGA共有3个层次,比隔离岛FPGA多了两个层次,而且随着层次的提高,通道宽度W相应减少。LEV-1作为最底层,其布线资源主要进行运算单元的连接;LEV-2的布线资源负责部分运算和部分数据传输,图6的顶层只负责数据传输。

实施例

为了比较隔离岛FPGA和Multi-level FPGA在延迟和面积方面的优劣,考虑以下的实施例。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学;成都华微电子系统有限公司,未经电子科技大学;成都华微电子系统有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910058432.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top