[发明专利]一种柔性纳米结构有序薄膜的制备方法无效
申请号: | 200910059063.3 | 申请日: | 2009-04-24 |
公开(公告)号: | CN101544774A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 杨亚杰;蒋亚东;徐建华 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L65/00 |
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地址: | 610054四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 纳米 结构 有序 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种柔性纳米结构有序薄膜的制备方法,利用导电聚合物纳米粒子或纳 米线在气/液界面的自组装行为,让导电聚合物纳米粒子或纳米线有序组装,得 到导电聚合物纳米粒子或纳米线有序排列薄膜,其特征在于,包括以下步骤:
①将导电聚合物纳米结构与表面活性剂超声分散溶于有机溶剂中,形成导 电聚合物纳米结构-表面活性剂单分子溶液,其中导电聚合物纳米粒子或纳米线 能与表面活性剂材料组成稳定的分散溶液;
②采用微量进样器抽取步骤①得到的溶液滴加于亚相,使其在气/液界面自 组装形成导电聚合物纳米结构-表面活性剂复合膜;
③控制LB拉膜机滑障的速度来压缩步骤②得到的导电聚合物纳米结构-表 面活性剂复合膜,通过控制成膜膜压来调控导电聚合物纳米粒子或纳米线的间 距;
④将清洁处理后的基片采用垂直成膜的方式将经过步骤③得到的复合膜转 移至基片上;
所述导电聚合物纳米粒子或纳米线包括聚-3,4-乙撑二氧噻吩纳米粒子,聚 -3,4-乙撑二氧噻吩纳米线,聚吡咯纳米粒子或聚吡咯纳米线;表面活性剂为十 六烷酸、十八烷酸或二十二烷酸;有机溶剂为氯仿。
2.根据权利要求1所述的柔性纳米结构有序薄膜的制备方法,其特征在于, 所述基片是处理过的石英、ITO玻璃或叉指电极。
3.根据权利要求1所述的柔性纳米结构有序薄膜的制备方法,其特征在于, 包括以下步骤:
①将导电聚合物聚-3,4-乙撑二氧噻吩纳米粒子与硬脂酸超声分散溶于氯 仿中,硬脂酸的浓度为0.2mg/ml,导电聚合物纳米粒子的浓度为1mg/ml,形 成纳米粒子-表面活性剂单分子溶液;
②采用微量进样器抽取100μl聚-3,4-乙撑二氧噻吩纳米粒子与硬脂酸/ 氯仿溶液滴加于纯水亚相,待氯仿挥发20min后开始压膜,此时在气/液界面 已形成聚-3,4-乙撑二氧噻吩纳米粒子-硬脂酸复合膜;
③控制LB拉膜机滑障以2mm/min的速度压缩复合单分子膜到30mN/m的 膜压,将清洁处理后的基片采用垂直成膜的方式将纳米粒子有序排列膜转移至 基片上,成膜速率为0.5mm/min,从而得到一种3,4-聚乙撑二氧噻吩纳米粒 子有序排列薄膜结构。
4.根据权利要求1所述的柔性纳米结构有序薄膜的制备方法,其特征在于, 包括以下步骤:
①将导电聚合物聚-3,4-乙撑二氧噻吩纳米线与硬脂酸超声分散溶于氯仿 中,硬脂酸的浓度为0.2mg/ml,导电聚合物纳米线的浓度为1.2mg/ml,形成 纳米线-表面活性剂单分子溶液;
②采用微量进样器抽取100μl聚-3,4-乙撑二氧噻吩纳米线与硬脂酸/氯 仿溶液滴加于纯水亚相,待氯仿挥发20min后开始压膜,此时在气/液界面已 形成聚-3,4-乙撑二氧噻吩纳米线-硬脂酸复合膜;
③控制LB拉膜机滑障以2mm/min的速度压缩复合单分子膜到到30mN/m 膜压,将清洁处理后的基片采用垂直成膜的方式将纳米线有序排列膜转移至基 片上,成膜速率为0.5mm/min,从而得到一种3,4-聚乙撑二氧噻吩纳米线有 序排列薄膜结构。
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