[发明专利]一种Al2O3/TiO2复合介质膜铝电极箔的制备方法有效
| 申请号： | 200910060068.8 | 申请日： | 2009-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101651046A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 冯哲圣;梁孜;陈金菊 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01G9/04 | 分类号： | H01G9/04;H01G9/045;H01G9/055;C25D11/04;C25D9/12 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 al sub tio 复合 介质 电极 制备 方法 | ||
1.一种Al2O3/TiO2复合介质膜铝电极箔的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：配制TiCl4和H2O2的混合电解液；首先将TiCl4溶于醇类有机溶剂和去离子水的混合溶剂中，然后滴加H2O2水溶液，直至得到颜色范围在橙黄色至棕红色之间的溶液；
步骤2：将惰性金属和铝腐蚀箔浸渍于步骤1所得的电解液中，以惰性金属为正极，铝腐蚀箔为负极，进行阴极电化学沉积，在铝腐蚀箔表面沉积得到TiO3(H2O)x；
步骤3：采用去离子水清洗步骤2所得的表面沉积有TiO3(H2O)x的铝腐蚀箔；
步骤4：对步骤3清洗后的表面沉积有TiO3(H2O)x的铝腐蚀箔进行温控热处理，使沉积于铝腐蚀箔表面的TiO3(H2O)x经过退火脱水得到TiO2，从而在铝腐蚀箔表面得到TiO2的纳米氧化膜；
步骤5：对步骤4所得的表面具有TiO2纳米氧化膜的铝腐蚀箔进行阳极氧化，得到具有Al2O3/TiO2复合介质膜的铝电极箔。
2.根据权利要求1所述的Al2O3/TiO2复合介质膜铝电极箔的制备方法，其特征在于，步骤1中配制TiCl4和H2O2的混合电解液时，所述H2O2的用量超过TiCl4的用量。
3.根据权利要求1所述的Al2O3/TiO2复合介质膜铝电极箔的制备方法，其特征在于，步骤1中配制TiCl4和H2O2的混合电解液时，所述去离子水和醇类有机溶剂的体积比为3∶1。
4.根据权利要求1所述的Al2O3/TiO2复合介质膜铝电极箔的制备方法，其特征在于，步骤1中所述醇类有机溶剂为甲醇、乙醇或丙醇。
5.根据权利要求1所述的Al2O3/TiO2复合介质膜铝电极箔的制备方法，其特征在于，步骤1中配制TiCl4和H2O2的混合电解液时，控制混合电解液中TiCl4和H2O2的浓度在0.001～0.1mol/L之间。
6.根据权利要求1所述的Al2O3/TiO2复合介质膜铝电极箔的制备方法，其特征在于，步骤2进行阴极电化学沉积时，具体采用衡流直流电源进行阴极电沉积，电流为0.001～1A，电压为5～50V，电沉积温度为0～30℃，电沉积时间为1～20分钟。
7.根据权利要求1所述的Al2O3/TiO2复合介质膜铝电极箔的制备方法，其特征在于，步骤4对清洗后的表面沉积有TiO3(H2O)x的铝腐蚀箔进行温控热处理时，具体步骤如下：
步骤4-1：对清洗后的表面沉积有TiO3(H2O)x的铝腐蚀箔进行低温热处理，以去除表面沉积有TiO3(H2O)x的铝腐蚀箔表面的水分和醇类有机溶剂；具体温度控制在60～100℃之间，处理时间为5～10分钟；
步骤4-2：对经低温热处理后的表面沉积有TiO3(H2O)x铝腐蚀箔进行高温热处理，使沉积于铝腐蚀箔表面的TiO3(H2O)x经过退火脱水得到TiO2；具体温度控制在400～700℃之间，处理时间为1～10分钟。
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