[发明专利]CsI(T1)晶体薄膜直接集成CCD的X射线阵列探测器无效
| 申请号： | 200910060113.X | 申请日： | 2009-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101968546A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 刘爽;张佳宁;钟智勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01T1/202 | 分类号： | G01T1/202 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | csi t1 晶体 薄膜 直接 集成 ccd 射线 阵列 探测器 | ||
1.基于薄层CsI(Tl)晶体直接耦合CCD的X射线阵列探测器，其特征是它包括CCD面元(1)、荧光增透膜(2)、CsI(Tl)晶体单元(3)、晶柱空气间隙(4)、顶层Al保护层(5)、侧面Al隔离层(6)、电荷转移通道(7)；X射线从顶层Al保护层(5)入射，进入CsI(Tl)晶体单元(3)，转换成为荧光；荧光在顶层Al保护层(5)、晶柱空气间隙(4)、侧面Al隔离层(6)的反射作用下，传输到荧光增透膜(2)上；荧光透过荧光增透膜(2)，被CCD面元(1)感光，产生光生电荷包；光生电荷包通过电荷转移通道(7)转移输出。
2.按权利要求1所述基于薄层CsI(Tl)晶体直接耦合CCD的X射线阵列探测器，其特征是CsI(Tl)晶体单元(3)与CCD面元(1)大小、尺寸一致，通过荧光反射直接耦合。无需光纤锥以及附加保护器件，简化结构，提高集成度。
3.按权利要求1所述基于薄层CsI(Tl)晶体直接耦合CCD的X射线阵列探测器，其特征是在CCD面元(1)与CsI(Tl)晶体单元(3)之间加入荧光增透膜(2)，提高转换效率。
4.按权利要求1所述基于薄层CsI(Tl)晶体直接耦合CCD的X射线阵列探测器，其特征是顶层Al保护层(5)控制X-ray辐射剂量，保护下部器件，同时反射顶部的回射荧光。
5.按权利要求1所述基于薄层CsI(Tl)晶体直接耦合CCD的X射线阵列探测器，其特征是晶柱空气间隙(4)与侧面Al隔离层(6)对荧光进行反射与隔离，减小窜扰噪声，增大空间分辨率。
6.按权利要求1所述基于薄层CsI(Tl)晶体直接耦合CCD的X射线阵列探测器，其特征是荧光增透膜(2)、CsI(Tl)晶体单元(3)、顶层Al保护层(5)、侧面Al隔离层(6)通过都通过蒸发沉积、光刻腐蚀、溅射工艺做在CCD面元(1)上。
7.按权利要求1所述基于薄层CsI(Tl)晶体直接耦合CCD的X射线阵列探测器，其特征是CsI(Tl)晶体单元(3)的厚度为70μm～100μm。
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