[发明专利]远寄生通带滤波器无效

专利信息
申请号: 200910060352.5 申请日: 2009-08-17
公开(公告)号: CN101662059A 公开(公告)日: 2010-03-03
发明(设计)人: 王清源;张贞鹏 申请(专利权)人: 成都赛纳赛德科技有限公司
主分类号: H01P1/212 分类号: H01P1/212
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610041四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 寄生 滤波器
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种滤波器,具体地说,是涉及一种采用电磁波吸收材料抑制寄生通带的微波滤波器。

背景技术

滤波器技术中抑制寄生通带一直是行业内关注的热点。传统的抑制寄生通带的方法包括采用低通滤波器、采用同轴谐振腔等形式。级联低通滤波器会增加体积、重量和插损;而采用同轴谐振腔抑制寄生通带,则需要加载电容。虽然谐振腔的体积缩小有利用滤波器的小型化,但由于谐振腔的Q-值降低,将增大滤波器的带内插损。

1965年B.M.SCHIFFMAN等人发表了A Rectangular-waveguideFilter Using Trapped-Mode Resonators(IEEE TRANS ON MTT,vol.MTT-13,NO.5,SEP 1965)论文,文中提出了采用吸波材料加载滤波器抑制寄生通带。但是该滤波器输入输出端口不在同一线上,在与其它器件级联时可能带来不便。同时,这种滤波器的尺寸比较大,特别是在滤波器的H面上尺寸很大,不利于滤波器的小型化。

发明内容

本发明的目的在于提供一种采用吸波材料的远寄生通带滤波器,在利用吸波材料减小滤波器的通带内插损的同时,简化滤波器的结构,并降低制造成本。

为了实现上述目的,本发明采用的技术方案为:

远寄生通带滤波器,包括输入输出结构、耦合结构和谐振腔,耦合结构设置于相邻谐振腔之间或谐振腔与输入输出结构之间,其特征在于,所述远寄生通带滤波器内还设有至少一个吸收腔,并在吸收腔中设置有电磁波吸收体,电磁波吸收体由电磁波吸收材料构成,通过电磁波吸收体吸收高频波以达到抑制寄生通带的目的。

每个吸收腔至少与相邻的输入输出结构、耦合结构和谐振腔中一个连接,且连接面与耦合结构之间的最小距离至少比该滤波器通带中心频率处波导波长的五分之一还小0.1mm。

每个吸收腔在其与滤波器的其它部分连接处附近至少有一点的横向最大尺寸小于该吸收腔最大尺寸的70%。

所述电磁波吸收体设置于吸收腔与滤波器的其它部分相连处的远端。

所述吸收腔位于与之相连的输入输出结构、耦合结构或谐振腔的底部。

所述耦合结构的水平截面宽度随其高度递增而单调增大或不变。

所述输入输出结构、耦合结构和谐振腔的上表面在同一个平面上。

所述谐振腔与相邻的耦合结构的连接面为平面。

本发明的原理是:利用电磁波吸收体对于特定频率的波的吸收特性,在滤波器中加载电磁波吸收体,用于吸收特定频段的电磁波,从而达到抑制寄生通带的作用。由于采用电磁波吸收体会增加滤波器的通带插入损耗,因此在滤波器中采用吸收腔来解决通带插入损耗增加的问题。吸收腔与滤波器其余部分的连接处具有高通特点,寄生通带的高频部分微波能量可进入吸收腔被吸收,而滤波器主通带频率的微波由于其频率低而难以进入吸收腔,所以其能量损失很小。另外,由于所有频率的微波信号都必须通过耦合结构,因此耦合结构附近是设置吸收腔的最佳位置。

附图说明

图1为本发明的俯视图。

图2为本发明中吸收腔的示意图。

图3为本发明-实施例1俯视图。

图4为图3的A-A向侧视图。

图5为本发明-实施例2俯视图。

图6为图5的A-A向侧视图。

图7为本发明-实施例3俯视图。

图8为图7的A-A向侧视图。

图9为本发明-实施例4俯视图。

图10为图9的A-A向侧视图。

具体实施方式

图1、图2为本发明的非规则结构示意图,但是,本发明的最优结构为滤波器的各个结构均为规则形状。下面以矩形滤波器为例对本发明作进一步说明。

实施例1

如图3、图4所示,远寄生通带滤波器,包括:输入输出结构1、耦合结构2、谐振腔3、吸收腔4、电磁波吸收材料5。

输入输出结构1、耦合结构2均是具有矩形耦合孔的耦合膜片,用于控制每个谐振腔与相邻谐振腔或外界之间耦合量的大小。

谐振腔3的形状为矩形,其内加载有矩形金属柱。矩形金属柱只在底部与谐振腔相连,矩形谐振腔和矩形金属柱的大小决定着谐振腔的谐振频率。

吸收腔4形状为矩形,位于谐振腔底部,且靠近输入输出结构1或耦合结构2。吸收腔与滤波器纵向垂直方向的宽度足够小,使该滤波器通带频率时的电磁波在这里是截止的,从而防止电磁波被耦合到吸收腔中,造成插入损耗。

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