[发明专利]一种高深宽比碳微机电器件的制备方法

权利要求书

1.一种高深宽比碳微机电器件的制备方法，包括：

(1)准备步骤：在硅基片表面生长一层SiO₂层，或者直接选用表面具有SiO₂层的硅基片；

(2)基片刻蚀步骤：利用光刻工艺，刻蚀硅基片表面的SiO₂层，制作出微坑图形SiO₂掩膜；再用SiO₂掩膜在硅基片上刻蚀出微坑；

(3)预处理步骤：对刻蚀好微坑的硅基片进行疏水化预处理；

(4)匀胶步骤：在匀胶机上对预处理后的硅基片匀胶，直至达到所需厚度胶层，对匀胶后的硅基片进行前烘处理；

(5)曝光步骤：将前烘处理后的硅基片进行对准曝光，使曝光区域与硅基片上的微坑阵列重合，曝光后立刻将硅基片进行中烘处理；

(6)显影步骤：对中烘处理后的硅基片进行显影，显影时不断振荡显影液，用异丙醇检验硅基片表面未曝光胶层是否完全去除；显影完成后进行后烘处理；

(7)热解步骤：将经过后烘处理的硅基片放入真空管式炉中分三次逐步升高温度进行热解，得到高深宽比碳微机电器件。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

匀胶步骤中，所用胶为SU-8负型光刻胶；前烘处理时，温度65℃～95℃，加热40～60分钟；

所述曝光步骤中，中烘处理时，温度65℃～95℃，加热20～25分钟；

所述显影步骤中，所用显影液为SU-8负型光刻胶专用显影液；后烘处理时，温度110℃～130℃，加热1～3分钟。

3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：

所述热解步骤中，所述分三次逐步升高温度进行热解的过程为：首先从室温升到250℃～300℃，保温20～30分钟；然后升温到500℃～600℃，保温20～30分钟；接着升温到900℃～1000℃，保温60～80分钟；最后自然冷却至室温；整个过程在无氧和N₂氛围中进行。