[发明专利]一种抑制电磁噪声的薄膜材料无效
| 申请号： | 200910060817.7 | 申请日： | 2009-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101486262A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 马强;江建军;别少伟;张传坤;田斌;陈谦;王鹏;吴杨 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | B32B7/02 | 分类号： | B32B7/02;B32B15/04;H05K9/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 方 放 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 电磁 噪声 薄膜 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种抑制电磁噪声的薄膜材料，在基片上沉积有缓冲层，缓冲层上具有铁磁层，基片为化学性能稳定且表面平整的材料，其特征在于：在缓冲层上先沉积有铁磁层或反铁磁层，然后交替沉积有反铁磁层和铁磁层，最表面的铁磁层或反铁磁层上沉积有保护层。
2.如权利要求1所述的薄膜材料，其特征在于：
所述缓冲层材料选自下述材料的任一种或它们的多层组合：金属Ta、Pt、Cr、Cu、Ru或Au，合金NiFeCr、NiFe或CoFe；
所述铁磁层材料选自：Ni、Co、Fe中的一种或它们组成的二元或三元合金；
所述反铁磁层材料选自下述材料的任一种：Mn或者Mn和Pt、Cr、Ir、Fe和Ni组成的二元或三元合金或氧化物，Fe、Co或Ni的氧化物；
所述保护层材料选自下述材料的任一种：金属Ta、Pt、Cu或Au，合金NiFeCr，或者SiO2或MgO。
3.如权利要求1或2所述的薄膜材料，其特征在于：
所述缓冲层厚度为1nm～40nm；
所述铁磁层每层厚度为1nm～1000nm；
所述反铁磁层每层厚度为2nm～200nm；
所述保护层厚度为1nm～100nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910060817.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：染料/氧化物半导体杂化薄膜的制备方法
- 下一篇：电磁直接驱动机器人手指装置
