[发明专利]一种光致变色MoO3薄膜的制备方法无效
申请号: | 200910061076.4 | 申请日: | 2009-03-10 |
公开(公告)号: | CN101503215A | 公开(公告)日: | 2009-08-12 |
发明(设计)人: | 沈毅;王萍萍;曹元媛;胡小伟 | 申请(专利权)人: | 中国地质大学(武汉) |
主分类号: | C01G41/02 | 分类号: | C01G41/02;C09K9/00 |
代理公司: | 武汉华旭知识产权事务所 | 代理人: | 刘 荣;周宗贵 |
地址: | 430074湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 变色 moo sub 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种光致变色MoO3薄膜的制备方法,其特征在于包括以下具体步骤:
(1)配制浓度为0.05~3mol/L的钼酸盐水溶液;
(2)采用离子交换法将钼酸盐水溶液制成钼酸水溶液;
(3)用盐酸将钼酸水溶液的pH值调为0.5~2.0;
(4)在搅拌条件下向该钼酸水溶液中加入成膜剂,成膜剂与钼酸盐水溶液的体积比为1.0:1.0~2.0,然后搅拌均化形成溶胶;
(5)用所得溶胶在洁净的无机非金属基片上镀膜,干燥;
(6)将干燥后的无机非金属基片在100~200℃保温0.5~3小时,300~600℃保温1~3小时的条件下烧结。
2.根据权利要求1所述的光致变色MoO3薄膜的制备方法,其特征在于:所述钼酸盐是易溶于水,且其阳离子的强酸盐也易溶于水的钼酸盐。
3.根据权利要求1所述的光致变色MoO3薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(4)中在以200~600r/min的速度搅拌下向pH值为0.5~2.0的钼酸水溶液中逐滴加入成膜剂。
4.根据权利要求1或3所述的光致变色MoO3薄膜的制备方法,其特征在于:所述成膜剂为数均分子量2000~5000,与水互溶且在300℃能开始分解的聚电解质。
5.根据权利要求1所述的光致变色MoO3薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(4)中搅拌均化形成溶胶后,将溶胶置于暗处放置24~48小时,然后在洁净的无机非金属基片上镀膜。
6.根据权利要求1所述的光致变色MoO3薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(5)中用所得溶胶在洁净的无机非金属基片上镀膜是采用浸渍提拉法将洁净的无机非金属基片浸入溶胶中,以15~25mm/s的提拉速度在基片上镀膜,镀膜时间为80~200s。
7.根据权利要求1所述的光致变色MoO3薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(5)中所述干燥温度为40~80℃。
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