[发明专利]氧化锌纳米紫外光敏传感器及其制备方法无效
申请号: | 200910061566.4 | 申请日: | 2009-04-10 |
公开(公告)号: | CN101533867A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 方国家;刘逆霜;龙浩 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0296;C01G9/02;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 武汉帅丞知识产权代理有限公司 | 代理人: | 朱必武 |
地址: | 43007*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化锌 纳米 紫外 光敏 传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种氧化锌纳米紫外光敏传感器的制备方法,所述传感器至少包括衬底、水 平排列的氧化锌纳米杆、种子层和具有钝化功能的插指电极导电薄膜,其特 征在于采用如下具体步骤:
步骤一,利用传统光刻工艺在衬底上做出插指电极的光刻胶掩膜,或者利用 金属掩膜;
步骤二,在步骤一得到的衬底上沉积一层对氧化锌具有亲和性的薄膜作为种 子层,得到插指电极形状的薄膜;
步骤三,在步骤二的产物上沉积一层对ZnO分子不具有亲和性的具有钝化功 能的插指电极导电薄膜;
步骤四,将步骤三得到的产物,置于高压反应釜内,使用浓度为0.001- 0.02mol/L的醋酸锌和六亚甲基四氨水溶液作为反应溶液,将衬底正面朝下置于 液面处,密封后置于烘箱中65℃-140℃下保温反应1-3h,反应后将衬底用去 离子水漂洗,置于烘箱中烘干,得到水平生长的ZnO阵列。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征是:所述种子层为氧化锌、掺铝的氧 化锌或金,其厚度为30-300nm。
3.如权利要求1或2所述的制备方法,其特征是:所述衬底为不导电的普通玻 璃、二氧化硅或聚对苯二甲酸乙二醇酯柔性衬底。
4.如权利要求1或2所述的制备方法,其特征是:所述具有钝化功能的插指电 极导电薄膜为锡、铬或掺二氧化锡的三氧化二铟,其厚度至少为50nm。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的