[发明专利]一种微机电系统的圆片级真空封装工艺

权利要求书

1.一种微机电系统的圆片级真空封装工艺，顺序包括：

淀积吸气剂步骤：在硅基片上淀积吸气剂薄膜，淀积的吸气剂薄膜厚度为50～200nm，其形状为环绕MEMS器件的两个共中心条状图形；

淀积薄牺牲层步骤：在硅基片上淀积薄牺牲层，淀积的薄牺牲层厚度为200～500nm，薄牺牲层图案制作在内外两圈吸气剂薄膜图形之间的空白区域；

淀积缓冲腔牺牲层步骤：淀积缓冲腔牺牲层，淀积的缓冲腔牺牲层厚度为300nm～1.5um，其图案制作在薄牺牲层边缘并覆盖外圈吸气剂薄膜；

淀积厚牺牲层步骤：淀积厚牺牲层，淀积的厚牺牲层制作在薄牺牲层中的空白区域，与薄牺牲层相连并覆盖MEMS器件，厚度为500nm～2um；

制作封装盖步骤：采用低压化学气相沉积工艺、电镀工艺或溅射工艺中的一种在薄牺牲层、缓冲腔牺牲层和厚牺牲层上制作封装盖，所述封装盖厚度为0.5um～2um；

刻蚀释放孔步骤：采用化学同相刻蚀、异向刻蚀或者光刻刻蚀工艺中的一种或几种，在薄牺牲层的封装盖上刻蚀出释放孔，释放孔面积为50um²～100um²； 

去除牺牲层步骤：用高密度等离子体干法刻蚀工艺去除薄牺牲层、缓冲腔牺牲层和厚牺牲层；

密封步骤：采用等离子增强化学气相沉积工艺在封装盖上淀积封装材料，对刻蚀腔通道进行密封，所述封装材料厚度为1um～3um。

2.如权利要求1所述的微机电系统的圆片级真空封装工艺，其特征在于：

所述淀积吸气剂步骤中，淀积方法为磁控溅射或丝网印刷中的一种；

所述淀积薄牺牲层、淀积缓冲腔牺牲层和淀积厚牺牲层步骤中，淀积方法为化学气相沉积、低压化学气相沉积、溅射、旋涂或蒸镀中的一种；

所述淀积薄牺牲层、淀积缓冲腔牺牲层和淀积厚牺牲层步骤中，所述薄牺牲层、缓冲腔牺牲层和厚牺牲层的材料为磷硅酸盐玻璃、光刻胶中的一种；

所述制作封装盖步骤和密封步骤中，所述封装盖和封装材料的材料为氮化硅、多晶硅、金属、或者金属和介质的组合。