[发明专利]一种PTC陶瓷微波烧结方法无效
申请号: | 200910062463.X | 申请日: | 2009-06-10 |
公开(公告)号: | CN101570440A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 付明 | 申请(专利权)人: | 付明 |
主分类号: | C04B35/64 | 分类号: | C04B35/64;C04B35/468 |
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地址: | 430074湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ptc 陶瓷 微波 烧结 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种PTC陶瓷的微波烧结方法,主要内容包括PTC陶瓷微波烧结工艺及微波 烧结的保温与辅助加热装置的设计,属于电子陶瓷制造工艺技术领域。
背景技术
微波烧结技术是新兴材料制备技术,具有缩短烧结时间、降低烧结温度、提高烧结产品 的性能、减少能耗和环保等优点。材料的微波处理技术是近年来材料科学的研究热点之一。 微波烧结是通过能量的转换来实现材料的体加热的,而传统加热方法是通过能量的传递给材 料加热。微波加热方法能量利用效率高,而且微波的非热效应还能够降低烧结时间,提高材 料的性能。日本专家利用微波烧结制备出了高压电常数的无铅BaTiO3陶瓷,压电常数非常大, 用微波烧结钛酸锶钡纳米铁电陶瓷,烧结温度在1310℃时获得了平均尺寸在1um以下的壳状 晶粒。他们从实验中得出,微波可以使临界温度范围拉宽。美国宾州州立大学用微波单模腔 高温烧结了纳米晶的氧化镁、氧化铝、氮化铝和氮氧化铝透明陶瓷。俄罗斯科学院应用物理 研究所用毫米波加热烧结了接近理论密度的氧化铝纳米陶瓷、高强度的纳米Si3N4陶瓷、相对 密度高达98%的LTCC和高介电常数低损耗的铁电陶瓷。而在国内,微波烧结PTC技术还不 成熟,特别是没有大规模应用。主要原因是,微波加热速率过快,使产品的烧结温度不均匀, 烧成的PTC陶瓷片变形很严重。
发明内容
本发明提供了一种PTC陶瓷的微波烧结方法,该方法根据PTC在不同温度下对微波 的吸收效率不同,设计了一种辅助加热与保温装置,并给出了合理的烧结工艺。
附图1是辅助加热与保温装置的结构图,整个辅助加热与保温装置放置于不锈钢制作的 微波反应腔内。辅助加热与保温装置由多层结构构成,外层是石棉绳缠绕的Al2O3纤维层5, 内层是刚玉-莫来石圆柱状炉膛2,Al2O3纤维紧密包裹在圆柱状炉膛外面,不留空隙。放置 PTC材料的Al2O3坩埚3置于炉膛内,坩埚与炉膛之间用SiC棒4填充,SiC棒4起辅助加热 作用。
用于上述烧结的辅助加热装置是由多根SiC棒构成,SiC棒放置于坩埚的四周。由于在 500℃以下时PTC吸收微波效率较低,而SiC棒吸波能力较好,其吸收的热量可传递给坩埚内 的PTC材料,起到辅助加热作用。
微波烧结的辅助加热与保温装置放置于反应腔内的可以转动的圆盘7上,加热时,圆盘 7以一定的速率旋转,可使加热更均匀。
该PTC的微波烧结方法,包括如下工艺步骤:
(1)将经过压片成型的PTC毛坯放入Al2O3坩埚中,然后将坩埚放入炉膛中,在坩埚与 炉膛之间是竖直放置的SiC棒。红外测温仪光点通过测温孔对准PTC片,使其能够准确测量 样品的温度,关好炉门,在上位机控制计算机中设置好加热PTC的升温曲线,即可开始烧结。
(2)烧结的温度控制过程如下:室温-500℃,按300-600℃/小时的速率升温,500℃保温 1小时,500℃-高温,按500-800℃/小时的速率升温,高温为1200-1250℃,保温10-30分钟, 然后按500-600℃降温至1100℃,低温保温10-30分钟。
(3)排胶也可采用预排胶工艺,在普通炉中500℃时排胶1小时,然后将产品放入保温装 置中。室温-高温,按500-800℃/小时的速率升温,高温为1200-1250℃,保温10-30分钟, 然后按500-600℃/小时降温至1100℃,低温保温10-30分钟。
本发明具有以下的优点:整个烧结工艺的时间缩短为传统烧结工艺的1/3;烧结温度降 低了50℃~100℃;加热均匀性好,没有发生PTC片变形的情况,成品率高;烧结出的产品 性能比传统烧结的产品性能更好,致密性更好,相对密度更高;烧结所耗费的能量缩减为传 统烧结的1/3~1/5,整个过程微波的平均功率为900W左右,最大功率也只有1200W,节省了 大量的能源。
实施例1:
a.将PTC生坯6放入坩埚3中,然后将坩埚放进炉膛2内,盖上盖板1,再一起放入微 波反应腔中进行烧结。盖板1中间的孔为红外测温的测温孔。保温体2外部为氧化铝纤维层 5,氧化铝纤维层5由较细的石棉绳缠绕。在炉膛2与坩埚3之间是SiC棒4,SiC棒用作辅 热材料。
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