[发明专利]一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法

权利要求书

1.一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法，该发光二极管外延片结 构从下向上的顺序依次为衬底，低温缓冲层，未掺杂的氮化镓高温缓冲层 u-GaN，氮化铝镓/氮化镓Al_xGa_1-xN/GaN，0＜x＜1超晶格结构，未掺杂的氮化镓 高温缓冲层u-GaN，N型接触层，N型氮化镓导电层，发光层多量子阱结构MQW， P型氮化铝镓电子阻挡层，P型氮化镓导电层，P型接触层；其特征在于：在未 掺杂的氮化镓高温缓冲层中插入了一氮化铝镓/氮化镓Al_xGa_1-xN/GaN，0＜x＜1， 超晶格周期结构。

2.如权利要求1所述的一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法，其 特征在于：在未掺杂的氮化镓高温缓冲层中插入了一氮化铝镓/氮化镓的步骤， 先生长一层氮化铝镓薄膜，该层材料上再生长一层氮化镓薄膜，然后再生长一 层氮化铝镓薄膜，一层氮化镓薄膜……如此循环，其周期数目介于2～20之间； 该超晶格周期结构的开始层与结束层材料可以是氮化铝镓薄膜，也可以是氮化 镓薄膜。

3.如权利要求1或2所述一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法， 其特征在于氮化铝镓/氮化镓Al_xGa_1-xN/GaN，0＜x＜1超晶格周期结构中氮化铝 镓垒层厚度与氮化镓阱层厚度介于2nm～20nm之间。

4.如权利要求1或2所述一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法， 其特征在于氮化铝镓/氮化镓Al_xGa_1-xN/GaN，0＜x＜1超晶格周期结构的垒层， 氮化铝镓中铝的组分介于0.02～0.35之间。

5.如权利要求1或2所述一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法， 其特征在于氮化铝镓/氮化镓Al_xGa_1-xN/GaN，0＜x＜1超晶格周期结构中垒层氮 化铝镓的生长压力介于30～500Torr之间，阱层氮化镓的生长压力介于 100～500Torr之间。

6.如权利要求1或2所述一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法， 其特征在于氮化铝镓/氮化镓Al_xGa_1-xN/GaN，0＜x＜1超晶格周期结构的垒层氮 化铝镓与阱层氮化镓可以同气氛生长，也可以分别在不同的气氛中生长。

7.如权利要求1或2所述一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法， 其特征在于氮化铝镓/氮化镓Al_xGa_1-xN/GaN，0＜x＜1超晶格周期结构的垒层氮 化铝镓与阱层氮化镓可以在纯氢气气氛中生长，也可以在氮氢混合气氛中生 长。