[发明专利]一种低热阻热界面制备方法有效
| 申请号： | 200910062842.9 | 申请日： | 2009-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101609802A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 陈明祥;刘胜 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/373;C09K5/14 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 李 智 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低热 界面 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低热阻热界面制备方法，首先在生长衬底上制备出定向生长碳纳米管，然后在定向生长碳纳米管顶部沉积磁性材料层，再对其作高温热处理直到碳纳米管顶端形成磁性颗粒，接着通过磁对准提高碳纳米管与目标衬底间的接触几率，最后完成碳纳米管与目标衬底间的键合。
2.根据权利要求1所述的低热阻热界面制备方法，其特征在于，在对定向生长碳纳米管磁化前采用水蒸汽对定向生长碳纳米管顶部进行刻蚀。
3.根据权利要求1所述的低热阻热界面制备方法，其特征在于，沉积时生长衬底需倾斜放置，倾斜角度为45o~80o，磁性材料层沉积厚度为10~40纳米。
4.根据权利要求1或2或3所述的低热阻热界面制备方法，其特征在于，所述磁对准为电磁对准或磁铁对准。
5.根据权利要求1或2或3所述的低热阻热界面制备方法，其特征在于，所述磁性材料层为Ni或Fe或Co或上述任意一种金属的合金或其组合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
