[发明专利]晶体碎料拉制硅芯的方法及实施该方法的一种装置有效

专利信息
申请号: 200910064106.7 申请日: 2009-01-20
公开(公告)号: CN101519797A 公开(公告)日: 2009-09-02
发明(设计)人: 刘朝轩 申请(专利权)人: 刘朝轩
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B15/00;C30B28/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 471009河南省洛阳市西工区上*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 晶体 拉制 方法 实施 一种 装置
【说明书】:

技术领域:

发明属于多晶硅拉制硅芯的一种方法,涉及多晶硅或其它晶体碎料拉制 硅芯的方法,尤其是涉及一种多晶硅或其它晶体碎料拉制硅芯的装置。

背景技术:

目前,硅芯在国内使用量非常巨大;现有的硅芯是以区熔方式所生产的, 其工艺过程中使用高频线圈、籽晶夹头来完成拉制过程,其工作原理如下:工 作时通过给高频线圈通入高频电流,高频感应加热,使高频线圈产生电流对原 料棒产生磁力线,加热后的原料棒上端头形成融化区,然后将籽晶插入熔化区, 慢慢提升籽晶,熔化后的原料就会跟随籽晶上升,形成一个新的柱形晶体,这 个新的柱形晶体便是硅芯或其它材料晶体的制成品。

本人通过观察发现硅芯制成过程中出现的余料,不小心折断的硅芯等处理 非常繁琐,一般会将上述废料进行回收,然后返回厂家进行再加工处理,也有 比较有实力的生产企业通过直拉炉对废料进行还原,然后对还原后的原料棒进 行再次拉制,这种做法不仅增加了硅芯拉制方的成本,而且再利用的时间会在 物流、中转、还原等环节或过程中延长。

发明内容:

为了克服背景技术中的不足,本发明公开了一种晶体碎料拉制硅芯的方法 及实施该方法的一种装置,本发明所述晶体碎料拉制硅芯的方法使用较为简单 的坩埚、加热套及导模结构,使晶体碎料得以再次利用,而且省略了还原过程, 不仅节约了企业成本,而且减少了晶体碎料的周转周期。

为了实现上述发明的目的,本发明采用如下技术方案:

一种晶体碎料拉制硅芯的装置,包括用于融化晶体碎料的坩埚和加热套; 用于对籽晶降温的导模结构;所述用于融化晶体碎料的坩埚和加热套,包括坩 埚、加热套、坩埚支撑体,所述坩埚的外部设有加热套,坩埚与加热套之间留 有3-10公分的距离,在坩埚的下部设有坩埚支撑体,所述坩埚的内表面上部 设置有导模支撑;所述用于对籽晶降温的导模结构,所述的导模放置在导模支 撑上,导模为一空腔结构,在导模的空腔结构上部任意部位设置冷却水口A 和冷却水口B,在导模的中部设有籽晶提拉口。

所述的晶体碎料拉制硅芯的装置,在导模的空腔结构上部的冷却水口A 至少设置为一个。

所述的晶体碎料拉制硅芯的装置,在导模的空腔结构上部的冷却水口B 至少设置为一个。

所述的晶体碎料拉制硅芯的装置,在导模中部的籽晶提拉口至少设置为一 个。

一种晶体碎料拉制硅芯的方法,包括如下步骤:

A、将晶体碎料的杂质清除干净;

B、把干净晶体碎料放入坩埚,晶体碎料的高度不得超出导模支撑的上表 面,并将晶体碎料平整压实,然后将导模放置在坩埚内表面的导模支撑上;坩 埚支撑体保持坩埚的独立,坩埚与加热套之间留有3-10公分的距离,以便防 止加热套出现接近坩埚后局部晶体碎料过热;

C、开启加热套对坩埚进行加热至坩埚内的晶体碎料融化,所述的晶体碎 料融化,应根据晶体碎料的不同来设置温度;以多晶硅为例,多晶硅的晶体碎 料融化温度在1800°左右,所以以1800°的融化点为宜并保持,坩埚内的晶 体碎料融化为液体;

D、籽晶夹头带着籽晶下降,籽晶穿过导模中部的籽晶提拉口接近并插入 熔化的晶体碎料液体,然后提升籽晶,坩埚内熔化的晶体碎料液体会跟随籽晶 上升,导模空腔通过冷却水口A和冷却水口B的一进一出流过的冷却水给籽晶 降温,并使籽晶结晶;

E、通过上述步骤晶体碎料液体便形成了一个新的柱型晶体,其籽晶夹头 夹带籽晶缓慢上升,便可形成所需长度的成品硅芯;

F、重复上述步骤便可实现多次晶体拉制过程。

由于采用上述技术方案,本发明具有如下优越性:

本发明所述的晶体碎料拉制硅芯的方法及实施该方法的一种装置,本发明 所述晶体碎料拉制硅芯的方法使用较为简单的坩埚、加热套及导模结构,使晶 体碎料在坩埚内快速融化,当所述的晶体碎料加热后成为液体,利用籽晶夹头 带动籽晶拉制成品硅芯,变废为宝,使晶体碎料得以再次利用,不仅节约了企 业成本,而且减少了晶体碎料的周转周期;本发明且具有加热均匀、大量节约 能源、减少晶体碎料周转周期,省略了还原过程,设备投资较低及人工综合成 本也较低,可有效的提高生产效率等优点,易于在多晶硅行业推广实施。

附图说明:

图1是本发明的装置结构及硅芯拉制原理示意图;

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