[发明专利]二氧化钛纳米管阵列掺杂方法

权利要求书

1.一种二氧化钛纳米管阵列掺杂方法，其特征有下列工序：(1)将待 掺杂的二氧化钛纳米管阵列和铂电极置于电解槽内，直流电源的正极和负 极分别与上述铂电极和二氧化钛纳米管阵列连接，直流电源的电压不大于 10V，上述电解液为含NH₄⁺的盐溶液或者含金属离子和NH₄⁺的混合盐溶 液，电沉积1小时，(2)将上述电沉积后的二氧化钛纳米管阵列置于马弗 炉内在300-700℃下煅烧2-3小时制成掺杂的二氧化钛纳米管阵列。

2.如权利要求1所述的二氧化钛纳米管阵列掺杂方法，其特征在于所 述含NH₄⁺盐溶液中NH₄⁺的浓度为0.1-0.2mol/L。

3.如权利要求1所述的二氧化钛纳米管阵列掺杂方法，其特征在于所 述金属离子和NH₄⁺离子混合盐溶液中的金属离子浓度和NH₄⁺浓度分别为 大于零而小于0.2mol/L。

4.如权利要求1或3所述的二氧化钛纳米管阵列掺杂方法，其特征在 于所述的金属离子为过渡金属离子或稀土元素离子。