[发明专利]一种二氧化钛介孔薄膜紫外光电探测原型器件的制作方法无效
申请号: | 200910065080.8 | 申请日: | 2009-06-01 |
公开(公告)号: | CN101635320A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 杜祖亮;木锐;戴树玺 | 申请(专利权)人: | 河南大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C28/00;C23C20/08;C23C14/34;C23C14/18 |
代理公司: | 郑州联科专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 刘建芳 |
地址: | 47500*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 钛介孔 薄膜 紫外 光电 探测 原型 器件 制作方法 | ||
1.一种二氧化钛介孔薄膜紫外光电探测原型器件的制作方法,其特征在于采用以下步骤制备:
(1)将质量比例为1∶0.003~0.008∶20~80的四氯化钛、嵌段式聚醚F-127和无水乙醇加至烧瓶中混合,在冰水浴中搅拌反应10~20分钟,然后撤掉冰水浴,向烧瓶中加入0.6~3.6ml蒸馏水,常温下搅拌反应4~6小时即成溶胶;
(2)将洁净的玻璃基底浸入步骤(1)制得的溶胶中,再提拉玻璃基底,使玻璃基底的表面覆盖有溶胶,将覆盖有溶胶的玻璃基底置于密闭容器内陈化24~120小时,然后将陈化后的玻璃基底在空气中煅烧,煅烧时以1~2℃/min的升温速率升温至300~450℃,保温4~6h,自然冷却到室温,得到透明的TiO2介孔薄膜;
(3)采用真空溅射的方式在TiO2介孔薄膜一面镀两个间隔1~3mm的钼电极,得到二氧化钛介孔薄膜紫外光电探测原型器件。
2.如权利要求1所述的二氧化钛介孔薄膜紫外光电探测原型器件的制作方法,其特征在于:所述真空溅射时先在TiO2介孔薄膜的中央贴一个宽度为1~3mm的隔断介质,然后采用考夫曼离子源溅射钼靶的方式向TiO2介孔薄膜上镀钼电极,使二氧化钛介孔薄膜表面沉积有厚度为30~60nm的钼电极,揭去隔断介质后得到二氧化钛介孔薄膜紫外光电探测原型器件。
3.如权利要求1或2述的二氧化钛介孔薄膜紫外光电探测原型器件的制作方法,其特征在于:所述密闭容器内的相对湿度50~85%,温度为室温。
4.如权利要求3所述的二氧化钛介孔薄膜紫外光电探测原型器件的制作方法,其特征在于:所述考夫曼离子源溅射时实验本底真空度为6×10-4a,沉积薄膜时真空度2.2×10-2Pa,氩气7.2sccm,屏极电压1200V,加速电压100V,束流60mA。
5.如权利要求4所述的二氧化钛介孔薄膜紫外光电探测原型器件的制作方法,其特征在于:所述隔断介质为纸条、布条或塑料布。
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