[发明专利]采用(In)GaAs/GaAs应变隔离层的808nm激光器材料的设计和外延方法

权利要求书

1.一种采用(In)GaAs/GaAs应变隔离层的808nm激光器结构包括：

衬底(1)为(100)取向、Si掺杂浓度1～2×10¹⁸cm^-3的GaAs晶体材料，EPD≤100^-2；GaAs缓冲层(2)，生长温度580℃，n型Si掺杂2×10¹⁸cm^-3，厚度1μm；Al_0.55Ga_0.45As下包层(3)，n型Si掺杂3.0×10¹⁷cm^-3，1.2μm厚；Al_0.4Ga_0.6As下波导层(4)，0.35μm厚；

一层1～2个周期的(In)GaAs/GaAs应变下隔离层(5)，非掺杂，20nm厚；

一层1～2个周期的(In)GaAs/GaAs应变上隔离层(7)，非掺杂，20nm厚；

2个周期的8nm厚的In_0.1Ga_0.75Al_0.15As和10nm厚的Al_0.4Ga_0.6As作为有源区(6)；

Al_0.45Ga_0.55As上波导层(8)，0.4μm厚；

Al_0.55Ga_0.45As上包层(9)，p型Be掺杂5×10¹⁷cm^-3，1.35μm厚；

GaAs欧姆接触层(10)，p型Be重掺杂2×10¹⁹cm^-3，200nm厚。