[发明专利]一种采用应变工程原理和图形衬底结合技术定位生长低密度InAs量子点的MBE外延方法无效
| 申请号： | 200910066813.X | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101533770A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 刘国军;李联合;李占国;李林;李梅;尤明慧;芦鹏;李辉;乔忠良;高欣;曲轶 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/302;H01L33/00;C23C14/22;C23C14/02 |
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| 地址： | 130022吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 应变 工程 原理 图形 衬底 结合 技术 定位 生长 密度 inas 量子 mbe | ||
1.一种定位生长低密度InAs量子点的MBE外延方法，在图形衬底上生长InAs量子点，并 采用应变工程原理制备大于二层的量子点，使量子点最大限度远离起始再生长界面，降 低再生长界面污染的影响而提高量子点光学质量，实现量子点密度和位置的可控，方法 的内容为：
1)采用电子束光刻(EBL)并结合湿法/干法刻蚀技术在GaAs衬底晶片(1)上制备所需图形 (2)：
A、选择EBL曝光时间50-65s；
B、H3PO3：H2O2：H2O作为腐蚀液，腐蚀温度0℃，腐蚀时间3-5min；
C、为控制图形尺寸、图形间距和台面/坑的腐蚀深度，干法刻蚀采用Cl2、BCl3为刻蚀气 体，控制刻蚀时间2-4min；
2)在成功制备所需图形衬底的基础上，外延生长种子量子点层(3)；
控制种子量子点层的生长温度540℃，生长速率0.08-0.1Ml/s；
3)利用应变工程原理生长大于二层小于五层的InAs量子点；
A、生长GaAs缓冲层(4)，生长温度650℃，时间5-10min，控制InAs量子点层(6)的生 长温度为540℃，生长速率0.02-0.04Ml/s；
B、生长GaAs隔离垒层(5)，其厚度20-35nm，GaAs隔离垒层的生长温度560℃，退火温 度580℃，时间2-5min；
C、生长InGaAs应变盖层(7)，其生长温度600℃，厚度100-150nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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