[发明专利]基于纳米掩膜制备技术的电化学制备纳米阵列结构材料方法

权利要求书

1.一种基于纳米掩膜制备方法的电化学制备纳米阵列结构材料方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)将单分散的无机纳米粒子与聚合物共混的混合物均匀排布在衬底材料表面，形成纳米阵列图形；

b)以a)中纳米阵列图形为掩膜，采用电化学刻蚀进行纳米图形和阵列的刻蚀，在衬底表面形成纳米阵列图案及深度的有序二维阵列结构；

c)除去表面残留纳米材料，获得纳米阵列图案和有序二维阵列结构。

2.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于：所述步骤a)中，使用的无机纳米粒子为氧化硅、氧化铝或氧化钛。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的衬底为金属、合金或者半导体材料，其中金属为镍、铜、铁、钴、铝、钛或锌；合金为钛基合金、钴基合金、铜基合金、镍基合金或铁基合金；半导体材料为锗、硅、砷化镓、磷化铟、磷化镓、砷化铟或氧化锌。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的电化学刻蚀方法中的电解液为酸、碱或盐溶液，酸液浓度为0.01mol/L-5mol/L；碱液浓度为0.01mol/L-5mol/L；盐溶液浓度为0.01mol/L-饱和盐溶液，电解液的pH值为3-12。