[发明专利]单晶片边缘不对称倒角加工方法

权利要求书

1、一种单晶片边缘不对称倒角加工方法，将单晶棒滚圆，垂直于单晶棒轴线切割，得到圆片状单晶片，其特征在于，将单晶片划分为去除层(4)和保留层(5)两部分；将去除层(4)边缘倒角成一种形状；将保留层(5)边缘倒角成另一种形状，并且，所形成的保留层倒角(7)相对于位于保留层(5)一半厚度处且平行于单晶片表面的平面对称；由所形成的去除层倒角(6)与所形成的保留层倒角(7)构成的单晶片边缘倒角相对于位于单晶片一半厚度处且平行于单晶片表面的平面不对称。

2、根据权利要求1所述的不对称倒角加工方法，其特征在于，采用与所述单晶片边缘倒角形状相同的磨具同时加工去除层倒角(6)和保留层倒角(7)。

3、根据权利要求1所述的不对称倒角加工方法，其特征在于，必要的加工参数及数值为：单晶片边缘倒角的顶点到过保留层倒角(7)末端且垂直于单晶片表面的直线的距离(h₁)在130±100μm范围内，单晶片边缘倒角的顶点到过去除层倒角(6)末端与单晶片表面的的交点、且垂直于单晶片表面的直线的距离(h₂)在500±100μm范围内，单晶片边缘倒角的延长线与单晶片表面的夹角(θ)在30±2°范围内。