[发明专利]对向靶反应溅射多晶四氧化三铁薄膜的设备及操作方法

权利要求书

1.一种对向靶反应溅射多晶四氧化三铁薄膜的设备，其特征是采用中科院沈阳科学仪器研制中心生产的DPS-III型超高真空对向靶磁控溅射镀膜机。

2.如权利要求1所述的对向靶反应溅射多晶四氧化三铁薄膜的设备的方法，其特征是步骤如下：

1)在镀膜机的对向的靶头上安装一对纯度为99.99％的Fe靶，两个靶头各一个，一头作为磁力线的N极，另一头为S极，靶材的厚度为0.5-3mm，直径为60mm；

2)将基底材料表面杂质清除后，将安装在对向靶连线的中垂线上，基片与对向靶的两个Fe靶连线的垂直距离为4-6cm；

3)开启DPS-III对向靶磁控溅射设备，先后启动一级机械泵和二级分子泵抽真空，直至溅射室的背底真空度优于8×10^-6Pa；

4)将纯度为99.999％的溅射气体氩气和氧气通入真空室，其中氩气流量为100sccm，氧气流量为1.8-2.2sccm，将溅射室的真空度保持在0.5-2.0Pa，并稳定5分钟；

5)开启溅射电源，在一对Fe靶上施加0.05-0.35A的电流和1200-1450V的直流电压，预溅射15分钟，等待溅射电流和电压稳定；

6)待对向靶表面氧化稳定后，打开Fe靶和基片之间的档板开始溅射，基片位置固定，不加热；

7)溅射完毕后，关闭溅射电源，停止通入溅射气体，然后关闭抽真空系统，向真空室充入氮气，打开真空室，取出样品。

3.如权利要求2所述的方法，其特征是所采用的基底材料包括了玻璃、聚酯、单晶NaCl或单晶Si。