[发明专利]负载在铝基体上的碳纳米管薄膜及其制备方法有效
申请号: | 200910068471.5 | 申请日: | 2009-04-14 |
公开(公告)号: | CN101532132A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 杨全红;郭敏;张少波 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C23C28/00 | 分类号: | C23C28/00;C23C20/00;C25D11/04;C25D11/12 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人: | 王 丽 |
地址: | 300072天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 负载 基体 纳米 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.负载在铝基体上的碳纳米管薄膜的制备方法,其特征在于步骤如下:
1)制备单壁碳纳米管DNA溶液:取0.1-10.0mg/mL的含有5-60个鸟嘌呤(G)或者5-60个胸腺嘧啶(T)或者两种碱基组合的单链DNA水溶液,直径0.5-20nm的碳纳米管,按碳纳米管的质量毫克数与单链DNA水溶液的体积毫升量比为1∶1-1∶10配制后,在冰水浴中以功率10-200W超声破碎处理0.5-6.0小时,8000-20000r/min离心分离30-60分钟,去除沉淀物后得到碳纳米管DNA溶液;
2)铝基体的氧化:将铝基体进行阳极氧化,得到氧化膜孔径为15-200nm,厚度5-150μm的铝基体;
3)将步骤2)中干燥的铝基体浸没到步骤1)制备的碳纳米管溶液中,溶液温度为10-80℃,pH值在5-7之间,静置0.5-96h后取出,碳纳米管在铝表面自组装形成厚度为2-500nm、方块电阻为0.5-50kΩ/sq的导电膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910068471.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:纺织品纳米银抗菌整理工艺
- 下一篇:TiC颗粒弥散强化灰铸铁及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类