[发明专利]负载在铝基体上的碳纳米管薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200910068471.5 申请日: 2009-04-14
公开(公告)号: CN101532132A 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 杨全红;郭敏;张少波 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C23C28/00 分类号: C23C28/00;C23C20/00;C25D11/04;C25D11/12
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 代理人: 王 丽
地址: 300072天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 负载 基体 纳米 薄膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.负载在铝基体上的碳纳米管薄膜的制备方法,其特征在于步骤如下:

1)制备单壁碳纳米管DNA溶液:取0.1-10.0mg/mL的含有5-60个鸟嘌呤(G)或者5-60个胸腺嘧啶(T)或者两种碱基组合的单链DNA水溶液,直径0.5-20nm的碳纳米管,按碳纳米管的质量毫克数与单链DNA水溶液的体积毫升量比为1∶1-1∶10配制后,在冰水浴中以功率10-200W超声破碎处理0.5-6.0小时,8000-20000r/min离心分离30-60分钟,去除沉淀物后得到碳纳米管DNA溶液;

2)铝基体的氧化:将铝基体进行阳极氧化,得到氧化膜孔径为15-200nm,厚度5-150μm的铝基体;

3)将步骤2)中干燥的铝基体浸没到步骤1)制备的碳纳米管溶液中,溶液温度为10-80℃,pH值在5-7之间,静置0.5-96h后取出,碳纳米管在铝表面自组装形成厚度为2-500nm、方块电阻为0.5-50kΩ/sq的导电膜。

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