[发明专利]一种锆铜铈三掺铌酸锂晶体及其制备方法无效
申请号: | 200910068854.2 | 申请日: | 2009-05-15 |
公开(公告)号: | CN101597801A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | 孔勇发;刘富才;刘士国;黄自恒;陈绍林;张玲;许京军 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | C30B29/30 | 分类号: | C30B29/30;C30B15/04 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 | 代理人: | 侯 力 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 锆铜铈三掺铌酸锂 晶体 及其 制备 方法 | ||
1、一种锆铜铈三掺铌酸锂晶体,其特征在于:由纯度为99.99%的Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、CuO和Ce2O3制成,其中Li与Nb的摩尔比为0.92~1.44,ZrO2的掺杂量为0.3mol%~12.0mol%,CuO的掺杂量为0.005wt%~0.2wt%,Ce2O3的掺杂量为0.005wt%~0.2wt%。
2、一种如权利要求1所述锆铜铈三掺铌酸锂晶体的制备方法,其特征在于采用提拉法生长制成,步骤如下:
1)将纯度为99.99%的Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、CuO和Ce2O3粉料按用料比混合,在100℃~300℃下恒温1小时~3小时将粉料烘干,然后在混料机上充分混合12小时~48小时,在750℃~900℃恒温1.5小时~3小时,使Li2CO3充分分解,1050℃~1200℃煅烧1.5小时~3小时,即可制得锆铜铈三掺铌酸锂粉料;
2)将上述制得的粉料压实,放于白金坩埚内,用中频炉加热,采用Czochralski提拉法沿c轴方向按拉脖、放肩、等径、收尾程序生长锆铜铈三掺铌酸锂晶体,工艺参数为拉速0.3mm~1.5mm、转速10rpm~20rpm、气液温差15℃~25℃、熔体内温度梯度0.5℃/mm~2.0℃/mm、熔体上方温梯0.5℃/mm~2.0℃/mm。
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