[发明专利]一种锆铜铈三掺铌酸锂晶体及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910068854.2 申请日: 2009-05-15
公开(公告)号: CN101597801A 公开(公告)日: 2009-12-09
发明(设计)人: 孔勇发;刘富才;刘士国;黄自恒;陈绍林;张玲;许京军 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: C30B29/30 分类号: C30B29/30;C30B15/04
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 代理人: 侯 力
地址: 300071*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 锆铜铈三掺铌酸锂 晶体 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1、一种锆铜铈三掺铌酸锂晶体,其特征在于:由纯度为99.99%的Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、CuO和Ce2O3制成,其中Li与Nb的摩尔比为0.92~1.44,ZrO2的掺杂量为0.3mol%~12.0mol%,CuO的掺杂量为0.005wt%~0.2wt%,Ce2O3的掺杂量为0.005wt%~0.2wt%。

2、一种如权利要求1所述锆铜铈三掺铌酸锂晶体的制备方法,其特征在于采用提拉法生长制成,步骤如下:

1)将纯度为99.99%的Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、CuO和Ce2O3粉料按用料比混合,在100℃~300℃下恒温1小时~3小时将粉料烘干,然后在混料机上充分混合12小时~48小时,在750℃~900℃恒温1.5小时~3小时,使Li2CO3充分分解,1050℃~1200℃煅烧1.5小时~3小时,即可制得锆铜铈三掺铌酸锂粉料;

2)将上述制得的粉料压实,放于白金坩埚内,用中频炉加热,采用Czochralski提拉法沿c轴方向按拉脖、放肩、等径、收尾程序生长锆铜铈三掺铌酸锂晶体,工艺参数为拉速0.3mm~1.5mm、转速10rpm~20rpm、气液温差15℃~25℃、熔体内温度梯度0.5℃/mm~2.0℃/mm、熔体上方温梯0.5℃/mm~2.0℃/mm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南开大学,未经南开大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910068854.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top