[发明专利]一种制备高迁移率Mo掺杂In2O3透明导电薄膜的方法有效
| 申请号： | 200910068968.7 | 申请日： | 2009-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101560642A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 陈新亮;耿新华;张建军;赵颖 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/06;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 | 代理人： | 侯 力 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 迁移率 mo 掺杂 in sub 透明 导电 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备高迁移率、高电导率和可见光及近红外区域高透过率的Mo掺杂In2O3(即IMO)透明导电薄膜的方法，其特征是该方法利用电子束反应蒸发技术，由以下步骤实现：
第一、高纯度陶瓷靶In2O3:MoO3和O2作为源材料，基片衬底温度T＝330-400℃；O2分压5.0-9.0×10-2pa；所述的高纯度陶瓷靶In2O3:MoO3是MoO3含量为0.5％-2％重量比掺杂的In2O3；
第二、首先，利用电子束蒸发技术在玻璃衬底上低速率生长一层缓冲层Mo掺杂In2O3薄膜，薄膜厚度30-40nm；其次，在上述缓冲层基础上，再高速率生长50-80nm厚度的薄膜；生长薄膜结构：玻璃/低速率缓冲层Mo掺杂In2O3薄膜/高速率Mo掺杂In2O3薄膜。
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