[发明专利]基于有机与无机复合色彩转换膜的白色有机电致发光器件有效
申请号: | 200910069451.X | 申请日: | 2009-06-26 |
公开(公告)号: | CN101593815A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
发明(设计)人: | 吴晓明;华玉林;印寿根;徐力;侯庆传;齐青瑾 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 | 代理人: | 侯 力 |
地址: | 300384天津市南*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 有机 无机 复合 色彩 转换 白色 电致发光 器件 | ||
【技术领域】:本发明属于有机电致发光技术领域,特别涉及一种结合有机/无机色彩转换膜的白色有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】:有机电致发光器件(OLED)以其突出的优势[1],正在逐步成为非常热门的新兴平板显示器产业,它所具有的亮度高、视角宽、功耗低、响应速度快、制备工艺简单和成本低,特别是高品质图象及便携式、柔性等方面的优势,是其它的显示器(如:CRT、LCD、PDP等)都无法比拟的,被誉为新一代平板显示器,有着美好的应用前景。
作为有机电致发光的一种,白色有机电致发光器件(WOLED)因其在液晶背光源、彩色显示和固态照明光源等方面的巨大应用潜力也成了该领域研究的热点一[2]。目前的WOLED器件,其白光发射无论是通过两基色,还是三基色混合获得,一般都采用的是发光层多层掺杂结构[3-5],它们都存在着因各发光层之间的接触界面、接触势垒及各个发光层的发光衰减不同而造成器件效率与寿命的大幅衰减等问题。而利用色彩转换膜法制备WOLED器件[6-8],与利用发光层多层掺杂结构制备的器件相比,其制备工艺更为简化,它是在导电玻璃的ITO一侧采用真空镀膜的方法沉积蓝光OLED的各功能薄膜,而在导电玻璃的另一侧利用甩膜的方法制备色彩转换膜(CCF),然后用发蓝光的OLED作为激发光源来激发色彩转换膜而获得橙/红色发光,进而与光源中另一部分蓝光混色后实现白光发射的,该方法称为色彩转换法或波长转换法。其制备成本更加低廉,易于通过优化蓝光OLED(可以采用效率高的荧光材料或者磷光材料)或者色彩转换层来提高白光器件的整体性能,并且蓝光OLED是单发光层,避免了传统多发光层白光器件因不同发光材料的衰减不同,而造成器件在工作一段时间后的色坐标偏移较大以及效率、寿命较短等问题,基于此多方面的优势,用色彩转换法制备WOLED已逐渐成为一个重要的研究方向和研究热点。
本发明以上所涉及的公开文献和其他参考材料描述了本发明的背景技术,并提供了关于其实验的附加细节,为了方便,将参考材料通过数字来引用并组合在本说明书后所附的文献目录中。
【发明内容】:本发明的目的是克服现有技术存在的上述不足,提供一种基于有机与无机复合色彩转换膜的白色OLED及制备方法,以及如何获得最优化的CCF染料掺杂浓度及厚度,并与蓝光OLED进行良好的匹配,从而实现纯白光发射的OLED及制备方法。
本发明提供的基于有机与无机复合色彩转换膜的白色有机电致发光器件,依次包括,衬底、ITO层、空穴传输层、蓝光发射层、电子传输层及金属背电极,所述的衬底材料为玻璃或绝缘柔性材料,阳极为ITO溅射层(面电阻<25Ω/□),空穴传输层、蓝光发射层、电子传输层均为有机半导体材料薄膜层组成,金属背电极由无机半导体薄膜及金属组成。在无ITO层的衬底一侧旋涂一层有机与无机复合色彩转换膜,该有机与无机复合色彩转换膜采用的材料为:有机转换材料VQ-D25颜料与无机转换材料YAG荧光粉的混合物。所述的有机转换材料VQ-D25颜料与无机转换材料YAG荧光粉的重量混合比为2.4∶1-3∶1。
所述的ITO阳极为采用溅射方法沉积在衬底材料上的ITO溅射层,沉积厚度为100-200nm。
所述的有机与无机复合色彩转换膜采用旋甩的方法,将有机转换材料VQ-D25颜料与无机转换材料YAG荧光粉混合后均匀分散到PMMA中,三者的相对质量比VQ-D25∶YAG荧光粉∶PMMA分别为12∶5∶83-9∶3∶88,经溶剂稀释后均匀的旋涂在衬底无ITO层的一侧,厚度为200-300nm。
所述的空穴传输层、蓝光发射层、电子传输层及金属背电极均采用真空沉积的方法制备,其中,空穴传输层膜厚为30-40cm,蓝色发光层膜厚为35-40nm,电子传输层膜厚为20-30nm,金属背电极膜厚为800-1000nm,其中含有5-8nm的电子缓冲层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择