[发明专利]通过球磨粉末氧化控制并烧结高载流MgB2超导体的方法有效
| 申请号： | 200910069804.6 | 申请日： | 2009-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101607822A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 刘永长;马宗青;霍洁;高志明;余黎明 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/622 | 分类号： | C04B35/622;C04B35/58 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 王 丽 |
| 地址： | 300072天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通过 磨粉 氧化 控制 烧结 高载流 mgb sub 超导体 方法 | ||
【权利要求书】：
1.通过球磨粉末氧化控制并烧结高载流MgB2超导体的方法，其特征是首先是对原始粉末进 行球磨处理以求降低烧结体中MgB2的结晶度，然后在此基础上对球磨后的原始粉末进行自然 氧化，从而在烧结过程中自生成均匀纳米氧化镁颗粒，这些颗粒本身作为有效的钉扎中心； 制备方法如下：将Mg粉和B粉按原子比1∶2混合，然后将混合粉末放入球磨机中在惰性气 体保护气氛下进行球磨1～10h；然后将球磨后的粉末暴露于空气中进行自然氧化处理1～ 24h，接着在2～10MPa的压力下制成薄片，将薄片放入高温差示扫描量热仪或者管式烧结炉 进行低温烧结，升温速率5～40℃/min，升至600～900℃后，在此温度保温烧结0.5～5个 小时，然后以10～40℃/min的冷却速度降至室温。
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