[发明专利]一种改善单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池性能的方法

权利要求书

1.一种改善单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池性能的方法，其特征在于：在微晶硅基薄膜太阳电 池的制备方法中，在沉积完电池的n层后且下一个电池还没有进入到反应室中时，采用空腔室辉 光方式进行反应腔室中含磷区域的处理，然后再沉积新电池的p层材料。

2.根据权利要求1所述改善单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池性能的方法，其特征在于：所述采 用空腔室辉光方式进行反应腔室中含磷区域处理的工艺参数为：反应气体压强0.3Torr-10Torr、 衬底表面温度为100℃-300℃、辉光功率密度0.1W/cm²～2W/cm²、辉光激励频率 13.56MHz-100MHz、电极间距为5mm-25mm、处理时间小于30min。

3.根据权利要求2所述改善单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池性能的方法，其特征在于：所述反 应气体为硅烷、氢气或硅烷和氢气任意比例的混合气。

4.根据权利要求1所述改善单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池性能的方法，其特征在于：所述微 晶硅基薄膜太阳电池包括纳米硅基薄膜太阳电池。

5.根据权利要求1所述改善单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池性能的方法，其特征在于：所述改 善单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池性能的方法，既适用于单结微晶硅基薄膜太阳电池电池，也适 用于由其构成的双结或三结叠层微晶硅基薄膜太阳电池。