[发明专利]Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法有效

专利信息
申请号: 200910071739.0 申请日: 2009-04-08
公开(公告)号: CN101515506A 公开(公告)日: 2009-08-26
发明(设计)人: 吴晓宏;秦伟;韩璐 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: H01G9/04 分类号: H01G9/04;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/48
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人: 单 军
地址: 150001黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: bi sub 量子 点敏化 tio 薄膜 电极 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法。

背景技术

TiO2薄膜电极禁带较宽(Eg=3.2eV),只能在紫外区(λ≤380nm)显示光化学活性,所以对太阳能的利用小于10%。为了提高TiO2薄膜电极光电效率,常采用贵金属表面沉积、半导体偶合和金属离子掺杂等修饰方法对其进行改性。其中,半导体偶合是提高TiO2薄膜电极光电转化效率的有效手段之一。当半导体晶粒尺约10nm时,称作量子点。半导体量子点结构对其中的载流子(如电子、空穴和激子)有较强的三维量子限制作用,控制量子点的几何形状和尺寸可改变其电子态结构,实现量子点器件的电学和光学性质的“剪裁”,是目前“能带工程”,设计的一个重要组成部分。随着半导体量子点制备技术的发展,利用半导体量子点敏化TiO2电极已成为国内外光电极材料研究的新热点。可用于敏化TiO2光电极的量子点主要是CdS、PbS和Bi2S3等窄带隙半导体,其中Bi2S3是最具潜力的敏化半导体,通过控制其尺寸的分布和有效调节导带可实现全敏化。目前,很少有报道将Bi2S3应用于TiO2电极,国外报道一种Bi2S3自组装敏化TiO2电极的方法,但该法的主要问题是制备过程中应用了H2S气体,对人体有毒害且容易爆炸,不适合推广。

发明内容

本发明为了解决现有技术在制备Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的过程中使用H2S气体,对人体有毒害且容易爆炸的问题,而提供一种Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法。

Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法按以下步骤实现:一、采用溶胶凝胶法制得多孔TiO2薄膜电极;二、将步骤一得到的多孔TiO2薄膜电极浸入含有1~10g琉基乙酸的乙醇溶液中10~60min;三、再浸入Bi(NO3)3溶液中1~10min,取出后用蒸馏水冲洗,然后再浸入Na2S溶液中1~10min,取出后再用蒸馏水冲洗;四、重复步骤三5次,即得Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极;其中步骤二中琉基乙酸的乙醇溶液中琉基乙酸与乙醇的体积比为1∶10~70;步骤三中的Bi(NO3)3溶液由1~20g Bi(NO3)3·5H2O与10~100ml硝酸溶液配制而成,硝酸溶液中硝酸与水的体积比为1∶2~50;步骤三中Na2S溶液为1.5~15gNa2S·9H2O与10~100ml蒸馏水配制而成;步骤一中溶胶凝胶法制得多孔TiO2薄膜电极的方法按以下步骤实现:将2.84~8.52g钛酸异丙脂与0.6~1.8g醋酸混合,然后将混合液滴加到15~45ml蒸馏水中,再加入0.2~0.6ml硝酸,70~90℃温度下搅拌1~3h,然后在220~230℃下进行水热处理10~15h,离心,用无水乙醇洗涤沉淀2~5次,向沉淀中加入2.25~6.75g质量浓度为10%的乙基纤维素的乙醇溶液和3.25~9.75g松油醇后,进行超声分散得到均匀的TiO2胶体,将其涂敷在FTO导电玻璃基底上,室温下晾干,然后在马弗炉400~500℃下烧结10~50min,得到多孔TiO2薄膜电极。

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