[发明专利]高近红外发光强度的Mg/Er-LiNbO3晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 200910071890.4 | 申请日： | 2009-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101555626A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 孙亮;杨春晖;徐超;王猛;孙彧;马天慧;夏士兴;吕维强;郝素伟;葛士彬;邱海龙 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市哈科专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 刘 娅 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 红外 发光强度 mg er linbo sub 晶体 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种高近红外发光强度的Mg/Er-LiNbO3晶体，其特征在于：Mg/Er-LiNbO3晶体以99.99wt％MgO、99.99wt％Er2O3、99.99wt％Nb2O5、99.99wt％LiCO3为基础原料，MgO掺杂量为0～2mol％，Er2O3掺杂量为0.5～1mol％，Li/Nb摩尔比＝1.381。
2、一种制备权利要求1所述的高近红外发光强度的Mg/Er-LiNbO3晶体的制备方法，其特征在于：具体步骤包括：1)以99.99wt％MgO、99.99wt％Er2O3、99.99wt％Nb2O5、99.99wt LiCO3为基础原料，MgO的掺杂量分别为0～2mol％，Er2O3的掺杂量为0.5～1mol％，Li/Nb摩尔比＝1.381，以此分别称取各原料，总重量为200g，充分混合以备用；2)把混合好的原料放入Pt坩锅中，采用传统的提拉法进行晶体生长，生长出的晶体均为淡粉色，得到直径20mm，高度20mm的生长条纹、无裂纹的晶体。
3、根据权利要求2所述的高近红外发光强度的Mg/Er-LiNbO3晶体的制备方法，其特征在于所述的提拉法中参数为：提拉速度为0.15～0.2mm/h，轴向温度剃度20～35℃/cm，旋转速度10～15rpm。
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