[发明专利]一种掺铒-铌酸锂晶体及其制备方法无效
申请号: | 200910071891.9 | 申请日: | 2009-04-27 |
公开(公告)号: | CN101575734A | 公开(公告)日: | 2009-11-11 |
发明(设计)人: | 孙亮;杨春晖;徐超;夏士兴;马天慧;王猛;孙彧;邱海龙;葛士彬;郝素伟;吕维强 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C30B29/30 | 分类号: | C30B29/30;C30B15/00 |
代理公司: | 哈尔滨市哈科专利事务所有限责任公司 | 代理人: | 刘 娅 |
地址: | 150001黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铌酸锂 晶体 及其 制备 方法 | ||
1、一种掺铒-铌酸锂晶体,其特征在于以99.99wt%MgO、99.99%Er2O3、99.99 wt%Nb2O5、99.99wt%LiCO3为基础原料,MgO的掺杂量分别为0~8mol%,Er2O3的掺杂量为1~4mol%,Li/Nb摩尔比=0.946~0.65。
2、一种制备权利要求1所述的高近红外发光强度的Mg/Er-LiNbO3晶体的制备方法,其特征在于具体步骤包括:1)以99.99wt%MgO、99.99wt%Er2O3、99.99wt%Nb2O5、99.99wt%LiCO3为基础原料,MgO的掺杂量分别为0~8mol%,Er2O3的掺杂量为1~4mol%,Li/Nb摩尔比=0.946~0.65,以此分别称取各原料,总重量为200g,充分混合以备用;2)把混合好的原料放入Pt坩锅中,采用传统的提拉法进行晶体生长,生长出的晶体均为淡粉色,直径30mm,高度20mm的生长条纹、无裂纹的晶体;3)所有晶体在温度为1200℃、电流密度为5mA/cm2条件下极化。
3、根据权利要求2所述的高近红外发光强度的Mg/Er-LiNbO3晶体的制备方法,其特征在于所述的提拉法中参数为:提拉速度为0.8~1.5mm/h,轴向温度剃度40~50℃/cm,旋转速度10~15rpm。
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