[发明专利]一种掺铒-铌酸锂晶体及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910071891.9 申请日: 2009-04-27
公开(公告)号: CN101575734A 公开(公告)日: 2009-11-11
发明(设计)人: 孙亮;杨春晖;徐超;夏士兴;马天慧;王猛;孙彧;邱海龙;葛士彬;郝素伟;吕维强 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C30B29/30 分类号: C30B29/30;C30B15/00
代理公司: 哈尔滨市哈科专利事务所有限责任公司 代理人: 刘 娅
地址: 150001黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 铌酸锂 晶体 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1、一种掺铒-铌酸锂晶体,其特征在于以99.99wt%MgO、99.99%Er2O3、99.99 wt%Nb2O5、99.99wt%LiCO3为基础原料,MgO的掺杂量分别为0~8mol%,Er2O3的掺杂量为1~4mol%,Li/Nb摩尔比=0.946~0.65。

2、一种制备权利要求1所述的高近红外发光强度的Mg/Er-LiNbO3晶体的制备方法,其特征在于具体步骤包括:1)以99.99wt%MgO、99.99wt%Er2O3、99.99wt%Nb2O5、99.99wt%LiCO3为基础原料,MgO的掺杂量分别为0~8mol%,Er2O3的掺杂量为1~4mol%,Li/Nb摩尔比=0.946~0.65,以此分别称取各原料,总重量为200g,充分混合以备用;2)把混合好的原料放入Pt坩锅中,采用传统的提拉法进行晶体生长,生长出的晶体均为淡粉色,直径30mm,高度20mm的生长条纹、无裂纹的晶体;3)所有晶体在温度为1200℃、电流密度为5mA/cm2条件下极化。

3、根据权利要求2所述的高近红外发光强度的Mg/Er-LiNbO3晶体的制备方法,其特征在于所述的提拉法中参数为:提拉速度为0.8~1.5mm/h,轴向温度剃度40~50℃/cm,旋转速度10~15rpm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学,未经哈尔滨工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910071891.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top