[发明专利]SiOCN陶瓷的制备方法有效
申请号: | 200910072021.3 | 申请日: | 2009-05-13 |
公开(公告)号: | CN101550012A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 温广武;白宏伟;黄小萧;韩兆祥;张晓东;钟博 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C04B35/622 | 分类号: | C04B35/622;C04B35/515 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人: | 荣 玲 |
地址: | 150001黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | siocn 陶瓷 制备 方法 | ||
1.SiOCN陶瓷的制备方法,其特征在于SiOCN陶瓷的制备方法按照以下 步骤进行:一、含硅氢键的化合物与烯丙胺按照Si-H/C=C的摩尔比为0.5~16 的比例混合,再加入铂催化剂混合均匀得到混合物,其中铂催化剂的用量是Pt 元素质量为混合物质量的0.0005%~0.020%,含硅氢键的化合物为含氢硅氧烷或 含氢聚硅氧烷;二、将步骤一中的混合物在100℃~200℃的条件下保温3~15小 时得到SiOCN先驱体;三、SiOCN先驱体在气氛保护条件下在管式炉中以 1~20℃/min的加热速度升温到900~1400℃并保温0.5~2h,然后随炉冷却,即制 备得到SiOCN陶瓷。
2.根据权利要求1所述的SiOCN陶瓷的制备方法,其特征在于步骤一中 含硅氢键的化合物与烯丙胺按照Si-H/C=C的摩尔比为1~13的范围混合。
3.根据权利要求1或2所述的SiOCN陶瓷的制备方法,其特征在于含氢 硅氧烷为四甲基环四硅氧烷或四甲基二氢硅氧烷。
4.根据权利要求1或2所述的SiOCN陶瓷的制备方法,其特征在于含氢 聚硅氧烷为含氢甲基硅油或聚甲基氢硅氧烷。
5.根据权利要求3所述的SiOCN陶瓷的制备方法,其特征在于步骤一中 的铂催化剂的制备方法为:将1g氯铂酸溶于100mL经钠干燥的四氢呋喃溶液中 即制备得到铂催化剂。
6.根据权利要求1、2或5所述的SiOCN陶瓷的制备方法,其特征在于步 骤一中的铂催化剂的用量是Pt元素质量为混合物质量的0.001%~0.015%。
7.根据权利要求6所述的SiOCN陶瓷的制备方法,其特征在于步骤二中 将混合物置于110℃~170℃的条件下保温5~12小时。
8.根据权利要求6所述的SiOCN陶瓷的制备方法,其特征在于步骤二中 将混合物置于120℃的条件下保温8小时。
9.根据权利要求1、2、5或8所述的SiOCN陶瓷的制备方法,其特征在 于步骤三中在气氛保护条件下的保护气氛为氮气或氩气。
10.根据权利要求9所述的SiOCN陶瓷的制备方法,其特征在于步骤三中 在1000~1300℃条件下保温0.9~1.1h。
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