[发明专利]Al4SiC4陶瓷的热处理方法无效
| 申请号： | 200910072023.2 | 申请日： | 2009-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101555162A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 温广武;黄小萧;耿欣;钟博 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C04B41/80 | 分类号： | C04B41/80;C04B35/56;C04B35/622 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | al sub sic 陶瓷 热处理 方法 | ||
1、Al4SiC4陶瓷的热处理方法，其特征在于Al4SiC4陶瓷的热处理方法如下：将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为600～1600℃的条件下保温10分钟～20小时，即得经过热处理的Al4SiC4陶瓷。
2、根据权利要求1所述的Al4SiC4陶瓷的热处理方法，其特征在于加热温度为630～1570℃、保温时间为25分钟～19.8小时。
3、根据权利要求1所述的Al4SiC4陶瓷的热处理方法，其特征在于加热温度为750～1450℃、保温时间为1.5小时～18.1小时。
4、根据权利要求1所述的Al4SiC4陶瓷的热处理方法，其特征在于加热温度为850～1330℃、保温时间为2.7小时～17.9小时。
5、根据权利要求1所述的Al4SiC4陶瓷的热处理方法，其特征在于加热温度为890～1290℃、保温时间为3.1小时～17.5小时。
6、根据权利要求1所述的Al4SiC4陶瓷的热处理方法，其特征在于加热温度为900℃、保温时间为2小时～10小时。
7、根据权利要求1所述的Al4SiC4陶瓷的热处理方法，其特征在于加热温度为1000℃、保温时间为2小时～10小时。
8、根据权利要求1所述的Al4SiC4陶瓷的热处理方法，其特征在于加热温度为1200℃、保温时间为2小时～10小时。
9、根据权利要求1所述的Al4SiC4陶瓷的热处理方法，其特征在于加热温度为1400℃、保温时间为2小时～10小时。
10、根据权利要求1所述的Al4SiC4陶瓷的热处理方法，其特征在于加热温度为1000℃。
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