[发明专利]一种在盐碱地上采用辐射沟密穴法营造风景林的技术

权利要求书

1.一种在盐碱地上采用辐射沟密穴法营造风景林的方法，其特征在于：根据盐碱地地形在重度盐碱地上规划出种植区和集水区，在种植区内用集水区挖出的部分盐碱土堆垛圆形种植台，在种植台上挖种植穴，同时挖辐射状的觅食沟，觅食沟内挖种植小穴，用盐碱土、废菌棒和树皮土调配人工生物基质，在种植穴和种植小穴内顺次添加玉米秸秆碎屑、牛粪、人工生物基质和降盐碱剂进行改造后，在种植穴内栽植目的乔木，在种植小穴内栽植小灌木，最后，在种植台上覆盖壤土，播撒草本植物种子，定期进行正常的管理和维护，直至形成风景林。

2.根据权利要求1所述的一种在盐碱地上采用辐射沟密穴法营造风景林的方法，其特征是：集水区面积占计划改造的重度盐碱地总面积的1/8-1/9，集水区内建造集水池，集水池深度为4-6m。

3.根据权利要求1所述的一种在盐碱地上采用辐射沟密穴法营造风景林的方法，其特征是：圆形种植台台高为0.20m，半径为1.50m，种植台间距为1.50-2m。

4.根据权利要求1所述的一种在盐碱地上采用辐射沟密穴法营造风景林的方法，其特征是：以圆形种植台圆心为正方形对角线交点挖边长为1.50m的正方形凹槽，凹槽深0.20m，在凹槽的4角向内挖深0.40m，边长0.50m的4个正方形的种植穴，种植穴间距为0.50m，从正方形凹槽的4边的中点和4角向外挖觅食沟延伸至距种植台边0.02-0.03m处，觅食沟宽0.30m、深0.20m，共8条，呈辐射状排列，在觅食沟内距离种植台边缘0.25m处挖边长为0.3m、深为0.3m的种植小穴。

5.根据权利要求1所述的一种在盐碱地上采用辐射沟密穴法营造风景林的方法，其特征是：将盐碱土、废菌棒和树皮土按20∶7∶3的比例混合，调制成人工生物基质。

6.根据权利要求1所述的一种在盐碱地上采用辐射沟密穴法营造风景林的方法，其特征是：在种植穴和种植小穴内顺次添加玉米秸秆碎屑厚度为0.10m，牛粪厚度为0.05m，人工生物基质厚度为0.05m，种植穴内加入水稀释至浓度为0.5％的降盐碱剂2L，种植小穴内加入水稀释至浓度为0.5％的降盐碱剂1L，壤土覆盖一层并踩实，浇足水。

7.根据权利要求1所述的一种在盐碱地上采用辐射沟密穴法营造风景林的方法，其特征是：将目的乔木截头去枝，并用红油覆盖截断处，栽植于种植穴内，用壤土覆盖根系，人工生物基质回填，浇水后，在目的乔木基部堆砌圆锥形排水小丘。

8.根据权利要求1所述的一种在盐碱地上采用辐射沟密穴法营造风景林的方法，其特征是：将小灌木植入种植小穴内，用壤土覆盖，踩实浇水。

9.根据权利要求4所述的一种在盐碱地上采用辐射沟密穴法营造风景林的方法，其特征是：将觅食沟和正方形凹槽的余下部分用人工生物基质填平，用盐碱土在圆形种植台中央、4个正方形种植穴以内，堆高0.30m、半径0.50m的排水小丘。

10.根据权利要求1所述的一种在盐碱地上采用辐射沟密穴法营造风景林的方法，其特征是：在整个种植台上覆盖0.05-0.10m厚的壤土，浇足底水后，在其上均匀播撒草本植物种子，并用壤土覆盖一薄层，浇水至湿润，定期进行正常的管理和维护，直至形成风景林。